東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）日前宣布，面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。
為達(dá)到175℃的通道溫度，該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用對高效緊湊設(shè)備的需求。
應(yīng)用
用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器
用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器
可再生能源發(fā)電系統(tǒng)
工業(yè)電機(jī)控制設(shè)備
特性
漏源額定電壓：VDSS＝3300V
漏源額定電壓：VDSS＝3300V
漏極額定電流：ID＝800A雙通道
寬通道溫度范圍：Tch＝175℃
低損耗：
Eon＝250mJ（典型值）
Eoff＝240mJ（典型值）
VDS(on)sense＝1.6V（典型值）
低雜散電感：Ls＝12nH（典型值）
高功率密度的小型iXPLV封裝
主要規(guī)格
