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II-VI宣布產(chǎn)能提升10倍,生產(chǎn)8英寸SiC襯底

日期:2021-04-15 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:451
核心提示:II-VI宣布,為了滿足亞洲市場的需求,在中國福州的II-VI亞洲區(qū)總部建立了一條用于導(dǎo)電SiC襯底的后端加工線,該生產(chǎn)線的面積超過50000平方英尺(約4645平方米)。
 4月15日,II-VI宣布,為了滿足亞洲市場的需求,在中國福州的II-VI亞洲區(qū)總部建立了一條用于導(dǎo)電SiC襯底的后端加工線,該生產(chǎn)線的面積超過50000平方英尺(約4645平方米)。
 
據(jù)介紹,II-VI新SiC后段線包括邊緣研磨、化學(xué)機械拋光、清潔和檢查,所有這些工序均在100級和1000級無塵潔凈室中進行。
 
II-VI公司新投資與寬禁帶電子技術(shù)業(yè)務(wù)部執(zhí)行副總裁Sohail Khan說,“根據(jù)最新的行業(yè)報告,預(yù)計中國將繼續(xù)成為全球最大的電動汽車市場,占全球銷量的40%以上,我們計劃在未來5到10年內(nèi)大幅提高我們在SiC晶錠和襯底的全球產(chǎn)能。”
 
II-VI明確表示,該計劃將在五年內(nèi)將其SiC襯底的生產(chǎn)能力提高五至十倍,計劃將在五年內(nèi)將SiC襯底的生產(chǎn)能力提高5至10倍,其中包括直徑200 mm(8英寸)的襯底。
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