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斥資3000億新臺幣 南亞科將新建12英寸晶圓廠

日期:2021-04-21 來源:全球半導(dǎo)體觀察閱讀:221
核心提示:日前,DRAM廠商南亞科宣布,將在中國臺灣新北市新建一座12英寸晶圓廠,新廠將采用雙層無塵室設(shè)計,使用南亞科自主研發(fā)的10納米制程,設(shè)計采用EUV極紫外光生產(chǎn)技術(shù),規(guī)劃月產(chǎn)能約4.5萬片。
日前,DRAM廠商南亞科宣布,將在中國臺灣新北市新建一座12英寸晶圓廠,新廠將采用雙層無塵室設(shè)計,使用南亞科自主研發(fā)的10納米制程,設(shè)計采用EUV極紫外光生產(chǎn)技術(shù),規(guī)劃月產(chǎn)能約4.5萬片。今年底動工,2024年開始第一階段1.5萬片量產(chǎn),總投資額達(dá)新臺幣3000億元(約合人民幣694億元)。
 
南亞科董事長吳嘉昭表示,該晶圓廠將以7年分三階段進(jìn)行投資,計劃2021年底動工,2023 年底完工開始試產(chǎn),并于2024 年開始第一階段量產(chǎn),產(chǎn)出顆粒數(shù)將較現(xiàn)有產(chǎn)能增加。
 
此外,吳嘉昭強(qiáng)調(diào)南亞科目前也在全力發(fā)展DDR5以及LPDDR5高容量高速度的產(chǎn)品,希望通過先進(jìn)制程上的研發(fā)能力,使臺灣地區(qū)DRAM產(chǎn)業(yè)更健康穩(wěn)固地發(fā)展。
 
南亞科總經(jīng)理李培瑛則表示,未來可生產(chǎn)DDR5、LPDDR5 及16Gb 高容量等DRAM 產(chǎn)品,以順應(yīng)未來5G 與數(shù)字化的發(fā)展趨勢。 
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