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金溢科技擬以 9,000 萬元投資 額增資入股深圳鎵華 共同開拓氮化鎵在車聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用

日期:2021-05-13 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:341
核心提示:5月13日,深圳市金溢科技股份有限公司與深圳鎵華微電子有限公司及其創(chuàng)始 人CHARLES CHUNLI LIU先生簽署《投資意向書》,公司擬以
5月13日,深圳市金溢科技股份有限公司與深圳鎵華微電子有限公司及其創(chuàng)始 人CHARLES CHUNLI LIU先生簽署《投資意向書》,公司擬以9000萬元投資額增資入股深圳鎵華,增資完成后將持有深圳鎵華11.25%的股權(quán)。
 
公告顯示,深圳鎵華微電子有限公司經(jīng)營范圍涉及電子科技、半導(dǎo)體科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)服務(wù)、 技術(shù)轉(zhuǎn)讓,商務(wù)信息咨詢,企業(yè)管理咨詢,市場營銷策劃,電子元器件的制造、 加工(以上限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營);半導(dǎo)體設(shè)備、機(jī)電設(shè)備、電子元器件的批發(fā)、傭 金代理(拍賣除外),進(jìn)出口及其相關(guān)配套服務(wù),依托第三方平臺開展電子產(chǎn)品 的銷售(不涉及國營貿(mào)易管理商品,涉及配額、許可證管理商品的,按國家有關(guān) 規(guī)定辦理申請;涉及行政許可的,憑許可證經(jīng)營)。
 
第三代半導(dǎo)體氮化鎵是國家寫進(jìn)“十四五”規(guī)劃的明確重點(diǎn)發(fā)展行業(yè),代表著未來世界化合物半導(dǎo)體的發(fā)展方向,是解決卡脖子技術(shù)的關(guān)鍵領(lǐng)域之一。深圳鎵華微電子有限公司是一家位于深圳專業(yè)從事第三代寬禁帶半導(dǎo)體硅襯底氮化鎵(GaN)功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技公司,該公司由在海外從事半導(dǎo)體行業(yè) 25 年和開發(fā)硅襯底 GaN 功率器件產(chǎn)品 18 年經(jīng)驗的劉查理博士領(lǐng)軍。深圳鎵華擁有完整的硅襯底 GaN 功率器件相關(guān)的知識產(chǎn)權(quán)和技術(shù),目前已經(jīng)成功流出 650V/900V/1200V 硅襯底 GaN 功率器件工程芯片,各項靜態(tài)/動態(tài)/電路參數(shù)測試結(jié)果優(yōu)異,相關(guān)技術(shù)成果國內(nèi)外領(lǐng)先。深圳鎵華正在積極布局生產(chǎn)鏈產(chǎn)能和產(chǎn)品市場推廣,全力加速產(chǎn)品量產(chǎn)和市場銷售。
 
公司通過增資入股深圳鎵華,后續(xù)將借助深圳鎵華在氮化鎵(GaN)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢,并發(fā)揮公司在車聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域積累的技術(shù)和資源,雙方共同開拓氮化鎵在車聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用。本次投資不僅有可能使公司獲得良好的投資回報,也可助力公司持續(xù)發(fā)展、打開上市公司未來更多的發(fā)展空間。
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