6月23日，總投資160億元、總占地面積1000畝的湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目，迎來(lái)首批廠(chǎng)房投產(chǎn)點(diǎn)亮儀式。
作為湖南省的重點(diǎn)項(xiàng)目之一，湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目將在長(zhǎng)沙高新區(qū)建設(shè)形成集長(zhǎng)晶、襯底、外延、芯片、封裝測(cè)試于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目，是全球第三條、中國(guó)首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)線(xiàn)，其產(chǎn)品可廣泛用于新能源汽車(chē)、高鐵機(jī)車(chē)、航空航天和無(wú)線(xiàn)(5G)通訊等領(lǐng)域，這必將成為推動(dòng)湖南新一代半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的重大動(dòng)力。
圖片來(lái)源：長(zhǎng)沙晚報(bào)
湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資160億元，主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶材料為主的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地。具體而言，該項(xiàng)目將建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售6寸SIC導(dǎo)電襯底、4寸半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。
點(diǎn)亮儀式上，三安光電股份有限公司副董事長(zhǎng)、總經(jīng)理林科闖表示，湖南三安半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)涵蓋襯底材料、外延生長(zhǎng)、晶圓制造及封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)，打造了國(guó)內(nèi)第一條、全球第三條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，能為客戶(hù)提供高品質(zhì)準(zhǔn)時(shí)交付產(chǎn)品的同時(shí)，兼具大規(guī)模生產(chǎn)的成本優(yōu)勢(shì)。
據(jù)了解，湖南三安半導(dǎo)體基地全部建成達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)年銷(xiāo)售額120億元，年貢獻(xiàn)稅收17億元，將促進(jìn)第三代半導(dǎo)體行業(yè)加快發(fā)展，帶動(dòng)周邊配套產(chǎn)業(yè)近萬(wàn)個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。
三安光電相關(guān)人士向第一財(cái)經(jīng)記者透露，湖南三安半導(dǎo)體基地設(shè)備已點(diǎn)亮，下一步進(jìn)行工藝調(diào)試和流片。
據(jù)了解，湖南三安半導(dǎo)體基地全部建成達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)年銷(xiāo)售額120億元，年貢獻(xiàn)稅收17億元，將促進(jìn)第三代半導(dǎo)體行業(yè)加快發(fā)展，帶動(dòng)周邊配套產(chǎn)業(yè)近萬(wàn)個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。
三安光電相關(guān)人士向第一財(cái)經(jīng)記者透露，湖南三安半導(dǎo)體基地設(shè)備已點(diǎn)亮，下一步進(jìn)行工藝調(diào)試和流片。
