近日，多孔GaN（氮化鎵）半導體材料開發(fā)商Porotech宣布獲得300萬英鎊新融資，本輪融資由Speedinvest領投，劍橋大學企業(yè)、Martlet Capital、IQ Capital、Cambridge Angels Group跟投。據(jù)悉，新資金將用于資助其獨特的Micro LED生產技術的下一階段開發(fā)。

 

據(jù)了解，Porotech計劃將本輪融將用于開發(fā)基于InGaN材質的RGB MicroLED制造工藝，提升智能手機、智能手表、AR/VR顯示模組的亮度、色彩和清晰度，縮小體積、重量和功耗，以及開發(fā)支持精準AR手勢交互的MicroLED“智能像素”技術。

 

Porotech成立于2020年1月，是劍橋大學氮化鎵科研中心的衍生公司，主要專注于開發(fā)高性能和節(jié)能的寬帶隙化合物半導體材料GaN。通過應用尖端材料技術和解決方案，釋放GaN的全部潛力，徹底改變電子行業(yè)。2020年11月，該公司推出了全球首款用于Micro LED 應用的商用原生紅色氮化銦鎵 (InGaN) LED外延片。其顯示技術突破預示即使是最小的設備也能實現(xiàn)更亮、更清晰、更生動的微型顯示器的新時代。

 

Micro LED是智能手機、智能手表、 VR/AR頭顯等產品上顯示技術的下一個重大飛躍。它在戶外環(huán)境中特別有用，因為陽光經常會使現(xiàn)有的顯示器難以看清。但隨著設備尺寸的減小，目前的Micro LED技術性能逐漸下降。

 

目前，正在測試的智能像素技術主要基于鋁銦鎵磷化(AlInGaP)材料和量子點顏色轉換(QDCC)。但是，AllnGaP在AR所需的小像素尺寸上很掙扎，而QDCC也存在均勻性和穩(wěn)定性問題。此外，這兩種方法都需要混合不同的材料。

 

Porotech的新方法使所有三種原色都可以使用相同的GaN材料制成，并集成在單個晶片上，無需特殊結構。該公司還計劃開發(fā)自己的供應鏈生態(tài)系統(tǒng)，以幫助其更快地開發(fā)和生產產品。

 

Porotech首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Tongtong Zhu博士說：“多孔GaN基本上是帶有幾十納米小孔的GaN。這是一個全新的工程GaN材料平臺，用于構建半導體器件。它提供了適合大規(guī)模生產、可擴展晶圓尺寸的性能改進，對于下一代微顯示設備（如AR眼鏡）至關重要。”