近日，有投資者在互動平臺提問“公司有sic晶圓代工嗎？ 碳化硅方面專利或技術(shù)儲備，后面有沒有朝碳化硅方面發(fā)展可能？”

 

賽微電子表示，GaN和SiC都屬于第三代半導體，在寬禁帶和擊穿電場方面都有相同的特性，都適合做功率電子應用，氮化鎵具有高導通能力，氮化鎵的異質(zhì)結(jié)是碳化硅不具備的，因此，氮化鎵相對碳化硅更具有速率和效率方面的優(yōu)勢；另一方面碳化硅起步較早，更加成熟，有一定的成本優(yōu)勢，良率、熱導率也會更好些，因此在超高壓大功率有更強的散熱優(yōu)勢。簡單來說，在功率系統(tǒng)里，大于10KW以上的汽車逆變器、軌道交通、發(fā)電等應用領(lǐng)域，碳化硅更有優(yōu)勢，在10KW以下的快充、智能家電、無線充電、服務器等應用領(lǐng)域，氮化鎵有更多的優(yōu)勢。當然，以上屬于公司的理解，不一定權(quán)威，還請投資者多方咨詢確認。公司在碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）材料及制造方面同樣具有技術(shù)儲備，但在8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）方面的技術(shù)儲備與競爭力方面更為突出，材料技術(shù)與工藝制造能力都是為產(chǎn)品服務，具體取決于客戶需求。

 

對于“聚能創(chuàng)芯推進的融資怎么樣了？公司有增加股權(quán)的計劃？”的提問，賽微電子表示，公司控股子公司聚能創(chuàng)芯是GaN業(yè)務的一級發(fā)展平臺，業(yè)務范圍包括GaN外延材料設(shè)計生產(chǎn)、GaN芯片設(shè)計，同時正參股投資建設(shè)GaN制造產(chǎn)線，公司在基于8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）的材料生產(chǎn)與芯片設(shè)計方面具備突出優(yōu)勢。聚能創(chuàng)芯正在快速發(fā)展過程中，同時也正在推進融資事項，不排除其股權(quán)結(jié)構(gòu)在未來會發(fā)生相應變化。