近日，中國第四代半導(dǎo)體“氧化鎵”材料產(chǎn)業(yè)化的先行者北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“銘鎵半導(dǎo)體”）完成由洪泰基金領(lǐng)投的數(shù)千萬元Pre-A輪融資。

 

銘鎵半導(dǎo)體成立于2020年，是國內(nèi)專業(yè)從事氧化鎵材料及其功率器件產(chǎn)業(yè)化的高新企業(yè)。主要專注于新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵的高質(zhì)量單晶與外延襯底、高靈敏度日盲紫外探測器件和高頻大功率器件等產(chǎn)業(yè)化高新技術(shù)的研發(fā)，目前已實(shí)現(xiàn)2寸氧化鎵襯底材料量產(chǎn)。

 

銘鎵半導(dǎo)體是目前唯一可實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)工業(yè)級氧化鎵半導(dǎo)體晶片小批量供貨的中國廠家，公司擁有一支強(qiáng)勁的博士人員研發(fā)團(tuán)隊(duì)，核心成員中有多位具備10年以上半導(dǎo)體領(lǐng)域從業(yè)經(jīng)驗(yàn)的產(chǎn)業(yè)技術(shù)人才?，F(xiàn)有專利17項(xiàng)（含申請中），實(shí)用新型3項(xiàng)，發(fā)明專利14項(xiàng)。

 

洪泰基金投資人王遠(yuǎn)博 表示：日本在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域一向具有風(fēng)向標(biāo)作用。此前，日本在研發(fā)領(lǐng)域缺少資金支持的情況下，依然在第四代半導(dǎo)體材料“氧化鎵”領(lǐng)域投入了重金；同時(shí)，2019年7月，三菱與電裝聯(lián)合宣布將成立一個新的合資企業(yè)，將目光投向了能夠挑戰(zhàn)SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體“氧化鎵”。可見日本對于“氧化鎵”未來在半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)揮重要價(jià)值的期待之大。

 

技術(shù)上，第四代半導(dǎo)體材料“氧化鎵”在光電和功率半導(dǎo)體領(lǐng)域具有優(yōu)異的指標(biāo)，天然的屬性和其生長工藝使其性價(jià)比要比第三代半導(dǎo)體更具優(yōu)勢。因此，我們看好“氧化鎵”材料未來的發(fā)展前景。

 

作為國內(nèi)“氧化鎵”領(lǐng)域的先行者，銘鎵半導(dǎo)體具備先發(fā)優(yōu)勢，目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)2寸，突破4寸技術(shù)，是目前唯一可實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)工業(yè)級“氧化鎵”半導(dǎo)體晶片小批量供貨中國廠家。未來，洪泰基金看好銘鎵半導(dǎo)體在國內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域扮演重要角色。