1月26日，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者額定電壓為1200V，額定漏極電流為600A；后者額定電壓為1700V，額定漏極電流為400A。作為東芝首批具有上述額定電壓的產(chǎn)品，它們與之前發(fā)布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件產(chǎn)品線。
這兩種新模塊在安裝方式上兼容廣泛使用的硅（Si）IGBT模塊。兩種新模塊的低損耗特性滿足了工業(yè)設(shè)備對(duì)提高效率、減小尺寸的需求，例如用于軌道車輛的轉(zhuǎn)換器和逆變器以及可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。
應(yīng)用：
- 用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器
- 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)
- 電機(jī)控制設(shè)備
- 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器
特性：
安裝方式兼容Si IGBT模塊
損耗低于Si IGBT模塊
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense＝0.9V（典型值）@ID＝600A，Tch＝25°C
Eon＝25mJ（典型值） Eoff＝28mJ（典型值）@VDS＝600V，ID＝600A，Tch＝150°C
MG400V2YMS3
VDS(on)sense＝0.8V（典型值）@ID＝400A，Tch＝25°C
Eon＝28mJ（典型值），Eoff＝27mJ（典型值）@VDS＝900V，ID＝400A，Tch＝150°C
內(nèi)置NTC熱敏電阻
主要規(guī)格：
（除非另有說明，@Tc＝25℃）
