想要快速發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，勢必要加快推動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料、器件和應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展。對此，華微電子提到：“第三代半導(dǎo)體技術(shù)，我國與國外在技術(shù)上差距小，大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體能夠使我們具有擁有和國際巨頭齊頭并進(jìn)和換道超車的條件。”

 

此前，在南京世界半導(dǎo)體大會暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲就曾透露：“國家2030計(jì)劃和十四五國家研發(fā)計(jì)劃都已經(jīng)明確，第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向，現(xiàn)在到了動(dòng)議討論實(shí)施方案的階段。”

 

近年來，得益于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進(jìn)、企業(yè)廣泛進(jìn)入等因素，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在穩(wěn)步發(fā)展，期間還涌現(xiàn)出了第三代半導(dǎo)體材料投資熱潮。

 

而華微電子在過去的半個(gè)多世紀(jì)中，一直持續(xù)突破諸多關(guān)鍵技術(shù)，不斷推動(dòng)功率半導(dǎo)體器件的國產(chǎn)化替代，為我國工業(yè)強(qiáng)基與民族產(chǎn)業(yè)發(fā)展助力，并逐步發(fā)展成為具有國際競爭力的功率半導(dǎo)體企業(yè)。

 

半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展的最大瓶頸是原材料。華微電子對此表示：“我國原材料的質(zhì)量、制備問題亟待破解；另外相關(guān)材料制備的關(guān)鍵設(shè)備依靠進(jìn)口；SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平還有差距;其應(yīng)用技術(shù)的研究比較關(guān)鍵，若相關(guān)配套技術(shù)及產(chǎn)品跟不上，第三代半導(dǎo)體的材料及器件的作用和效率可能會發(fā)揮不好。”

 

華微電子作為首家國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域上市公司，始終堅(jiān)持生產(chǎn)一代、儲備一代、研發(fā)一代的技術(shù)開發(fā)戰(zhàn)略，并早已積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)、制造。

 

目前華微電子SiC產(chǎn)品已經(jīng)可以提供二極管產(chǎn)品、GaN器件可以提供快充使用的FET。華微電子提到：“下一步，將進(jìn)一步發(fā)揮公司的IDM模式的優(yōu)勢，集中精力研究三代半導(dǎo)體的關(guān)鍵產(chǎn)品技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)，完善相關(guān)生產(chǎn)線開發(fā)和制造能力，為消費(fèi)類、工業(yè)和汽車電子領(lǐng)域提供優(yōu)異的三代半導(dǎo)體電力電子器件。”

 

將來，第三代半導(dǎo)體將與第一代、第二代半導(dǎo)體技術(shù)形成互補(bǔ)發(fā)展，并對節(jié)能減排、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級、催生新的經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn)發(fā)揮重要作用。業(yè)內(nèi)人士表示，在國家全面推行中國智造大背景下，人工智能、新能源汽車、5G通信等產(chǎn)業(yè)越來越受到重視，第三代半導(dǎo)體材料得益于這些產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，將大步邁進(jìn)發(fā)展快車道，而以華微電子為代表的半導(dǎo)體企業(yè)，也將獲得長遠(yuǎn)發(fā)展。