宏微科技3月16日在投資者互動(dòng)平臺(tái)回答投資者提問(wèn)時(shí)表示，IGBT等功率器件芯片對(duì)制程的要求，沒(méi)有邏輯芯片等集成電路芯片那么高，主流制程普遍在350nm以上，最新的制程需求是150nm, 所以對(duì)應(yīng)的光刻機(jī)設(shè)備不會(huì)受到像14nm、7nm制程那樣的約束。隨著國(guó)內(nèi)制程技術(shù)的逐步成熟，IGBT芯片制造設(shè)備（含光刻設(shè)備）的國(guó)產(chǎn)替代也正在加速。