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半導(dǎo)體設(shè)備廠商拓荊科技科創(chuàng)板上市

日期:2022-04-20 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)綜合閱讀:235
核心提示:4月20日,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商拓荊科技在上海證券交易所科創(chuàng)板上市,公司證券代碼為688072,發(fā)行價(jià)格71.88元/股。據(jù)招股書披露,
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊:4月20日,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商拓荊科技在上海證券交易所科創(chuàng)板上市,公司證券代碼為688072,發(fā)行價(jià)格71.88元/股。截止收盤,首日大漲28.41%,報(bào)92.30元,總市值116.74億元。
 
據(jù)招股書披露,拓荊科技主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。公司聚焦的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)共同構(gòu)成芯片制造三大主設(shè)備。拓荊科技主要產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備、原子層沉積(ALD)設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)設(shè)備三個(gè)產(chǎn)品系列,已廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線,并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗(yàn)證測(cè)試。
 
財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示,2019年至2021年,拓荊科技的營(yíng)業(yè)收入分別為2.51億元、4.36億元和7.58億元,分別同比增長(zhǎng)255.66%、73.38%和73.99%,持續(xù)穩(wěn)健增長(zhǎng)。近日,拓荊科技還披露了今年一季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù):當(dāng)期實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入1.08億元,同比增長(zhǎng)86.21%。從盈利能力來(lái)看,拓荊科技2019年至2022年1-3月的銷售毛利率分別為31.85%、34.06%、44.01%和47.44%,呈現(xiàn)增長(zhǎng)趨勢(shì)。
 
拓荊科技表示,公司面向國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的實(shí)際需求和產(chǎn)線演進(jìn)節(jié)奏,在邏輯電路應(yīng)用領(lǐng)域儲(chǔ)備了10納米以下工藝節(jié)點(diǎn)下的通用介質(zhì)材料工藝薄膜沉積技術(shù)、28納米先進(jìn)介質(zhì)材料工藝薄膜沉積技術(shù),在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域儲(chǔ)備了128層3DNAND和1Y世代DRAM介質(zhì)薄膜沉積技術(shù),在先進(jìn)封裝和LED顯示領(lǐng)域儲(chǔ)備了TSV2.5D-IC、3D-IC集成及光電領(lǐng)域所需的介質(zhì)薄膜沉積技術(shù)。公司未來(lái)將堅(jiān)持大額研發(fā)投入,不斷迭代升級(jí)、優(yōu)化現(xiàn)有設(shè)備和工藝,不斷推出面向未來(lái)發(fā)展需求的新工藝、新設(shè)備。
 
根據(jù)拓荊科技最新發(fā)布的上市公告書,本次上市,拓荊科技募資總額高達(dá)22.73億元,扣除發(fā)行費(fèi)用后,募集資金凈額為21.28億元,全部用于先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項(xiàng)目、高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目、ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目和補(bǔ)充流動(dòng)資金。
 
 
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