半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息：2022年4月，恒普科技推出SiC感應(yīng)晶體生長(zhǎng)爐的新一代技術(shù)平臺(tái)，突破SiC行業(yè)晶體長(zhǎng)不快、長(zhǎng)不厚，長(zhǎng)不大的三大缺點(diǎn)，解決行業(yè)核心需求。
隨著電動(dòng)汽車(chē)的碳化硅車(chē)型的陸續(xù)密集推出，帶動(dòng)當(dāng)下SiC器件需求的井噴。在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)SiC襯底的供應(yīng)依然無(wú)法滿足市場(chǎng)的需求。
而當(dāng)下國(guó)內(nèi)主流的SiC晶體生長(zhǎng)速度在0.1~0.2mm/h,晶體厚度在15~25mm,晶體尺寸從4英寸全面向6英寸切換。國(guó)際上主流的SiC晶體生長(zhǎng)的速度在0.2~0.3mm/h，晶體的厚度30~40mm，晶體尺寸由6英寸轉(zhuǎn)向8英寸。
無(wú)論是技術(shù)追趕，還是市場(chǎng)需求，在晶體質(zhì)量（缺陷等）保證的前提下，把SiC晶體長(zhǎng)快、長(zhǎng)厚、長(zhǎng)大，都是行業(yè)急迫需要解決的核心需求。
在這個(gè)背景下，恒普科技推出新一代感應(yīng)發(fā)熱技術(shù)平臺(tái)，并以新技術(shù)平臺(tái)為基礎(chǔ)，推出了2款感應(yīng)式SiC晶體生長(zhǎng)爐，解決SiC晶體長(zhǎng)不快、長(zhǎng)不厚、長(zhǎng)不大的缺點(diǎn)。
新感應(yīng)晶體生長(zhǎng)平臺(tái)特點(diǎn)（部分）：
1、全尺寸
●同時(shí)推出6英寸、8英寸的2款爐型，滿足行業(yè)晶體尺寸加大的需求。
2、無(wú)籽晶托或超薄籽晶托
●自由熱膨脹，利于應(yīng)力的釋放，減少由應(yīng)力產(chǎn)生的缺陷。
●料區(qū)與籽晶區(qū)，更靈活的溫度梯度調(diào)節(jié)。
3、固定式水平線圈
●無(wú)需調(diào)節(jié)線圈的軸向移動(dòng)，減少工藝變量，提高工藝穩(wěn)定性。
●對(duì)籽晶區(qū)的溫場(chǎng)做到更精細(xì)的調(diào)整，使溫度更均衡。
4、新熱場(chǎng)
●裝入更多原料，且利用率高。
●料區(qū)溫度分布對(duì)長(zhǎng)晶影響的敏感度下降。
●增加了蒸發(fā)面積，可在超低壓力下生長(zhǎng)。
●傳質(zhì)效率提高且穩(wěn)定，降低再結(jié)晶影響（避免二次傳質(zhì)）。
●減少邊緣缺陷的擴(kuò)徑技術(shù)。
生長(zhǎng)后期，降低碳包裹物的影響。
5、先進(jìn)技術(shù)
新?tīng)t型標(biāo)準(zhǔn)配置了，溫度閉環(huán)控制與高精度壓力控制等先進(jìn)技術(shù)。
a.溫度閉環(huán)控制
SiC晶體在2000℃以上的高溫下生長(zhǎng)，對(duì)溫度的穩(wěn)定性要求極高，但由于SiC粉料揮發(fā)等原因，無(wú)法做到溫度控制，而是采用功率控制（或溫度控制+功率控制組合），恒普科技的新技術(shù)就解決了這個(gè)痛點(diǎn)。
b.高精度壓力控制
SiC晶體生長(zhǎng)爐在晶體生長(zhǎng)時(shí)，通常壓力控制的波動(dòng)在±3Pa,恒普科技的新技術(shù)可以將壓力控制在±0.3Pa，提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)。
寧波恒普真空科技股份有限公司 是一家以材料研究為基礎(chǔ)，以高溫?zé)釄?chǎng)環(huán)境控制為技術(shù)核心的金屬注射成形（MIM）領(lǐng)域和寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)商，主要從事金屬注射成形（MIM）脫脂燒結(jié)爐、碳化硅晶體生長(zhǎng)爐、碳化硅同質(zhì)外延設(shè)備等熱工裝備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。
