據(jù)中國臺灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日報報道，聯(lián)電加速布局難度更高、經(jīng)濟(jì)效益更好的 8 英寸晶圓第三代半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，近期大舉購置新機(jī)臺擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計下半年進(jìn)駐廠區(qū)。臺媒指出，聯(lián)電此前的第三代半導(dǎo)體布局，主要通過轉(zhuǎn)投資聯(lián)穎切入，鎖定 6 英寸氮化鎵產(chǎn)品。供應(yīng)鏈則透露，聯(lián)電近期擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體布局，自行購置蝕刻、薄膜新機(jī)臺，預(yù)計下半年將進(jìn)駐8英寸AB廠，瞄準(zhǔn)8英寸晶圓生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體的經(jīng)濟(jì)效益優(yōu)于6英寸晶圓的方向。

 

業(yè)界分析，第三代半導(dǎo)體薄膜厚度比一般晶圓代工還厚，很容易導(dǎo)致晶圓彎曲，考慮到制程難度，目前業(yè)界發(fā)展第三代半導(dǎo)體多以 6 英寸為主。不過，6 英寸晶圓半徑是 5cm，8 寸晶圓半徑則是 10cm，所以 8 英寸相對 6 英寸，一片可以產(chǎn)出的芯片量會“多出很多”，在經(jīng)濟(jì)效益較高的前提下，聯(lián)電切入 8 英寸第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。