據(jù)悉，華為公司將于集成電路領(lǐng)域頂會(huì)-VLSI Symposium 2022上，發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的3D DRAM技術(shù)。

 

報(bào)道稱(chēng)，華為與中科院方面開(kāi)發(fā)了基于銦鎵鋅氧（IGZO）材料的CAA（Channel-All-Around）構(gòu)型晶體管，具有出色的溫度穩(wěn)定性和可靠性。

 

根據(jù)此前報(bào)道，在去年舉辦的IEDM 2021上，中科院微電子所李泠研究員團(tuán)隊(duì)聯(lián)合華為/海思團(tuán)隊(duì)，首次提出了新型垂直環(huán)形溝道器件結(jié)構(gòu)（CAA），該結(jié)構(gòu)有效減小了器件面積，且支持多層堆疊，通過(guò)將上下兩個(gè)CAA器件直接相連，每個(gè)存儲(chǔ)單元的尺寸可減小至4F2，使IGZO-DRAM擁有了密度優(yōu)勢(shì)，有望克服傳統(tǒng)1T1C-DRAM的微縮挑戰(zhàn)。