半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息：以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體功率芯片和器件，以其高壓、高頻、高溫、高速的優(yōu)良特性，能夠大幅提升各類電力電子設(shè)備的能量密度，降低成本造價(jià)，增強(qiáng)可靠性和適用性，提高電能轉(zhuǎn)換效率，降低損耗。SiC產(chǎn)業(yè)目前處于快速發(fā)展期，新能源汽車及光伏等領(lǐng)域?qū)iC MOSFET需求旺盛。然而，SiC MOSFET因技術(shù)難度高、研發(fā)周期長(zhǎng)、研發(fā)投入大、人才要求高等因素，國(guó)內(nèi)總體水平還相對(duì)比較薄弱，具備研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)更是鳳毛麟角。
芯塔電子1200V SiC MOSFET應(yīng)用測(cè)試
面對(duì)外界風(fēng)險(xiǎn)挑戰(zhàn)，芯塔電子堅(jiān)持本土創(chuàng)新，加大研發(fā)投入，攻堅(jiān)關(guān)鍵核心技術(shù)，面向三代半新賽道加快構(gòu)建核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)。依靠十多年的技術(shù)積累，芯塔電子通過與合作單位共同研發(fā)柵介質(zhì)的核心工藝技術(shù)，研究柵氧的物理機(jī)理，改進(jìn)了MOS柵的可靠性和溝道遷移率，使得具有自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SiC MOSFET器件具有更小的導(dǎo)通電阻，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
芯塔電子1200V SiC MOSFET應(yīng)用測(cè)試
國(guó)外知名C公司1200V SiC MOSFE應(yīng)用測(cè)試
作為SiC功率器件國(guó)產(chǎn)化的先行者，芯塔電子SiC MOSFET的產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造、封裝等各環(huán)節(jié)均在國(guó)內(nèi)完成。芯塔電子表示，該系列產(chǎn)品加快了中國(guó)SiC MOSFET器件的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程（包括自主的IP、材料、設(shè)計(jì)、工藝等），彰顯了我司科技創(chuàng)新的核心競(jìng)爭(zhēng)力。芯塔電子SiC 1200V 80-40mΩ MOSFET器件已經(jīng)給國(guó)內(nèi)的重要客戶進(jìn)行了送樣和銷售，包括軍工、新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域，同時(shí)也已獲得眾多客戶的咨詢和明確需求，預(yù)計(jì)今年?duì)I收會(huì)有爆發(fā)性增長(zhǎng)。
據(jù)了解，依靠十多年的技術(shù)積累與研發(fā)，芯塔電子已形成比較完整的功率器件產(chǎn)品體系，包括6英寸SiC肖特基二極管芯片，650V-1200V 40多種規(guī)格的第五代SiC肖特基二極管器件，SiC MOSFET器件和模塊。公司目前已積累上百家客戶資源，并進(jìn)入了行業(yè)標(biāo)桿客戶。在資本方面，獲得了政府的有力支持和頭部資源投資，此舉將助推公司更加快速的發(fā)展。未來，芯塔電子將加快創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，攜手國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈共同助力中國(guó)新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
芯塔電子是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體功率器件和應(yīng)用解決方案提供商，堅(jiān)持以自主創(chuàng)新為核心，致力于先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件的國(guó)產(chǎn)化。公司擁有業(yè)界資深技術(shù)團(tuán)隊(duì)，創(chuàng)始人倪煒江博士是中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)和量產(chǎn)的先驅(qū)者之一。核心團(tuán)隊(duì)來自浙江大學(xué)、中科院、海外知名院校及業(yè)界知名公司，具有深厚的產(chǎn)品研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。產(chǎn)品應(yīng)用于風(fēng)電光伏、高端電源、5G通訊、新能源汽車、充電樁、儲(chǔ)能、電能質(zhì)量治理、工業(yè)變頻、白色家電等領(lǐng)域。
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