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氮化鎵芯片企業(yè)鎵未來完成近億元A+融資

日期:2022-05-27 來源:化合物半導(dǎo)體市場閱讀:326
核心提示:近日,氮化鎵芯片領(lǐng)先企業(yè)珠海鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)宣布完成近億元A+輪融資。
近日,氮化鎵芯片領(lǐng)先企業(yè)珠海鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)宣布完成近億元A+輪融資。
 
據(jù)悉,本輪投資由順為資本、高瓴創(chuàng)投、盈富泰克聯(lián)合投資,深啟投資擔(dān)任獨家財務(wù)顧問。融資將主要用于氮化鎵功率芯片新產(chǎn)品研發(fā)及應(yīng)用方案開發(fā),此外還將用于供應(yīng)鏈建設(shè)。
 
鎵未來成立于2020年10月,致力于高端氮化鎵功率器件的研發(fā)、設(shè)計和生產(chǎn),公司成立至今已累計融資三輪,合計超2億元。
 
融資歷程:
 
2021年2月,獲得珠??苿?chuàng)投、大橫琴集團、境成投資、禮達(dá)聯(lián)馬投資和世聯(lián)行天使輪融資;
 
2021年8月,獲得珠海科創(chuàng)投、大橫琴集團、境成投資、禮達(dá)聯(lián)馬投資和世聯(lián)行A輪融資,融資金額為數(shù)千萬元;
 
2022年4月,獲得天壹資本、盈富泰克、華金資本B輪融資。
 
2021年,鎵未來研發(fā)并量產(chǎn)了適用于30W-120W電源適配器的氮化鎵開關(guān)器件產(chǎn)品,主要應(yīng)用于手機/筆記本快充中,在手訂單達(dá)數(shù)百萬顆。2022年將繼續(xù)推出適用于140W、200W、330W等低功率應(yīng)用場景的高性能氮化鎵功率器件產(chǎn)品及電源整體解決方案。
 
目前最具發(fā)展?jié)摿Φ牟牧霞礊榫邆涓吖β始案哳l率特性的寬禁帶(Wide Band Gap;WBG)半導(dǎo)體,包含碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN),主要應(yīng)用大宗為電動車、快充市場。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究推估,第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)值將從2021年的9.8億美元,至2025年將成長至47.1億美元,年復(fù)合成長率達(dá)48%。
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Source:TrendForce集邦咨詢
 
其中,GaN適合高頻率應(yīng)用,包括通訊裝置,以及用于手機、平板、筆電的快充。相較于傳統(tǒng)快充,GaN快充擁有更大的功率密度,故充電速度更快,且體積更小便于攜帶,吸引不少OEM、ODM業(yè)者加入而開始高速發(fā)展,預(yù)估GaN功率半導(dǎo)體至2025年可達(dá)13.2億美元。 
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