據(jù)了解，雙方聯(lián)合成立培養(yǎng)實踐基地旨在加強產(chǎn)學(xué)研合作，聚焦碳化硅和氮化鎵材料，培養(yǎng)兼具豐富理論知識和實踐能力的高層次材料工程人才。中電化合物以此為契機，加大人才引進(jìn)力度，以創(chuàng)新為抓手，持續(xù)研發(fā)投入，打造公司的核心競爭力。

 

中電化合物公司是由中國電子下屬的華大半導(dǎo)體投資的一家做碳化硅SiC晶體、襯底、外延片和GaN外延片產(chǎn)品的專業(yè)化寬禁帶半導(dǎo)體材料制造企業(yè)。2019年，中電化合物半導(dǎo)體項目落戶在寧波杭州灣新區(qū)，是浙江省首個第三代半導(dǎo)體項目，總投資10.5億元，規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn)7萬片6吋SiC同質(zhì)外延片生產(chǎn)線，和年產(chǎn)1萬片GaN外延片生產(chǎn)線；包含SiC晶體生長、襯底加工、外延生長、材料檢測工序。

自成立以來，中電化合物就聚焦在大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研究、開發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品可廣泛用于電動汽車、新能源、柔性電網(wǎng)、工業(yè)裝備、家用消費電子設(shè)備等眾多領(lǐng)域。經(jīng)過3年耕耘，中電化合物已引進(jìn)全球先進(jìn)的碳化硅和氮化鎵外延片生長爐和各種高端檢測設(shè)備數(shù)十套，并建成了含十級超凈車間的材料生產(chǎn)線，專注于碳化硅和氮化鎵材料的研究和開發(fā)，為客戶提供有競爭力的解決方案。

此外，在2021年12月，中電化合物中標(biāo)寧波市重大科技任務(wù)攻關(guān)暨揭榜掛帥項目，聯(lián)合寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司和中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所，共同建設(shè)“車規(guī)級MOS器件用大尺寸SiC材料研發(fā)、驗證及產(chǎn)業(yè)化”項目。目前，中電化合物的碳化硅年產(chǎn)能已達(dá)2萬片，未來3年將達(dá)到8萬片，已向客戶提供了650V/1200V/1700V系列SiC外延片和GaN外延片等產(chǎn)品。