半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體新銳企業(yè)芯塔電子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各項(xiàng)性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。此舉標(biāo)志著芯塔電子在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展，進(jìn)一步豐富了公司的產(chǎn)品系列，彰顯了芯塔電子在國(guó)內(nèi)SiC領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。目前，該產(chǎn)品已經(jīng)給國(guó)內(nèi)軍工、新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、充電樁等領(lǐng)域頭部企業(yè)進(jìn)行了銷(xiāo)售。
芯塔電子新一代SiC MOSFET晶圓及器件
芯塔電子新一代SiC MOSFET基于XM2.0自主技術(shù)平臺(tái)。技術(shù)團(tuán)隊(duì)歷經(jīng)數(shù)月的辛苦研究，針對(duì)芯片布局、結(jié)構(gòu)、工藝進(jìn)行全方面的設(shè)計(jì)優(yōu)化，并與國(guó)內(nèi)合作單位進(jìn)行了多輪技術(shù)討論、調(diào)試工作，快速完成芯片流片，取得預(yù)期的芯片測(cè)試結(jié)果。新一代產(chǎn)品的材料、設(shè)計(jì)、代工等環(huán)節(jié)均在國(guó)內(nèi)完成，是真正意義上的純國(guó)產(chǎn)化產(chǎn)品，加快了中國(guó)SiC MOSFET器件的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。
芯塔電子新一代SiC MOSFET選型表
技術(shù)團(tuán)隊(duì)通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，結(jié)合先進(jìn)的晶圓減薄技術(shù)，進(jìn)一步提高了器件的功率密度和效率，可以應(yīng)用在更高頻的環(huán)境，從而大幅降低外圍電路電感、電容、濾波器和變壓器的尺寸，對(duì)比前一代產(chǎn)品具有更小的芯片尺寸、更低的米勒電容、更高的抗干擾能力。新一代產(chǎn)品不但獲得了更高的性價(jià)比，同時(shí)也改善了器件動(dòng)態(tài)特性，獲得了更低的開(kāi)關(guān)損耗，以便滿足市場(chǎng)對(duì)高性能、高可靠性的新能源汽車(chē)及高端工業(yè)領(lǐng)域功率半導(dǎo)體器件需求。
芯塔電子1200V/40mΩ SiC MOSFET性能參數(shù)
芯塔電子本次發(fā)布的 SiC MOSFET 器件低優(yōu)值因子QG x RDS(ON) 是產(chǎn)品最大的亮點(diǎn)之一。優(yōu)值因子數(shù)值越低說(shuō)明器件的綜合損耗越小，效率更高。在相同的測(cè)試條件下，芯塔電子 1200V/40mΩ SiC MOSFET的優(yōu)值因子比國(guó)外C品牌低25%，在一眾同類(lèi)品牌中優(yōu)勢(shì)盡顯。
芯塔電子MOS產(chǎn)品優(yōu)值因子對(duì)比
通過(guò)與國(guó)外知名友商C公司競(jìng)品性能參數(shù)對(duì)比圖可以看出，芯塔電子新一代1200V/40mΩ SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻、柵電荷等方面展示出優(yōu)良特性。在TJ=150℃時(shí)，芯塔電子產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻的變化率為1.3、C公司為1.7，相對(duì)競(jìng)品更具優(yōu)勢(shì)和性價(jià)比。
1200V 40mΩ SiC MOSFET雙脈沖對(duì)比測(cè)試波形圖
1200V 40mΩ SiC MOSFET雙脈沖對(duì)比測(cè)試數(shù)據(jù)
雙脈沖測(cè)試結(jié)果來(lái)看，芯塔電子1200V/40mΩ SiC MOSFET與國(guó)外知名友商C公司的最新一代同規(guī)格競(jìng)品相比開(kāi)通和關(guān)斷更快，開(kāi)通損耗降低14%，關(guān)斷損耗降低18%。從短路電流測(cè)試結(jié)果來(lái)看，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在VDD = 600 V , VGS = 20 V , VGD = -5 V , RG = 25 Ω的測(cè)試條件下，短路時(shí)間≤5μs，短路電流為279A，達(dá)到國(guó)際一線品牌產(chǎn)品性能。
1200V 80mΩ SiC MOSFET短路電流測(cè)試
整體而言，芯塔電子 SiC MOSFET具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的優(yōu)值因子系數(shù)，在應(yīng)用環(huán)境中，具備損耗低、整體效率高的明顯優(yōu)勢(shì),器件多項(xiàng)性能及各項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)達(dá)到國(guó)際一流水平，可以很好的實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代。
芯塔電子新一代SiC MOSFET晶圓
SiC MOSFET是具有代表性的碳化硅功率器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對(duì)效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景。相比于傳統(tǒng)的硅基IGBT，SiC MOSFET可帶來(lái)一系列系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化，包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級(jí)成本，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。下游需求不斷擴(kuò)大的態(tài)勢(shì)下，芯塔電子的SiC器件將以國(guó)際先進(jìn)的性能和高可靠性，滿足諸多目標(biāo)應(yīng)用的需求，公司未來(lái)的發(fā)展前景也將會(huì)愈發(fā)廣闊。
在行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)風(fēng)起云涌的今天，賦予芯塔電子全新的戰(zhàn)略定位。在全球化競(jìng)爭(zhēng)的舞臺(tái)上，芯塔人銳意進(jìn)取，以全球化的視野和前瞻的思路，創(chuàng)新求變，順應(yīng)潮流。未來(lái)，芯塔電子將依托中國(guó)廣闊的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)、強(qiáng)大的團(tuán)隊(duì)科研實(shí)力和行業(yè)資源植根安徽，打造新一代功率半導(dǎo)體民族品牌。不斷加強(qiáng)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的合作和協(xié)同創(chuàng)新，持續(xù)推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步，助力國(guó)家“雙碳”戰(zhàn)略。
芯塔電子簡(jiǎn)介
芯塔電子是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體功率器件和應(yīng)用解決方案提供商，堅(jiān)持以自主創(chuàng)新為核心，致力于先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件的國(guó)產(chǎn)化。公司擁有業(yè)界資深技術(shù)團(tuán)隊(duì)，創(chuàng)始人倪煒江博士是中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)和量產(chǎn)的先驅(qū)者之一。核心團(tuán)隊(duì)來(lái)自浙江大學(xué)、中科院、海外知名院校及業(yè)界知名公司，具有深厚的產(chǎn)品研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。
產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域：
風(fēng)電光伏、高端電源、5G通訊、新能源汽車(chē)、充電樁、儲(chǔ)能、電能質(zhì)量治理、工業(yè)變頻、白色家電等。
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