東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出新款功率器件——第三代碳化硅（SiC）MOSFET “TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開(kāi)始出貨。

 

新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%，從而使“漏源導(dǎo)通電阻柵漏電荷（RDS(ON)Qgd）”降低了大約80%，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開(kāi)關(guān)損耗減少大約20%，同時(shí)降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗。因此，新產(chǎn)品有助于提高設(shè)備效率。