這家僅有12歲的年輕企業(yè)，攻克了領域內多項關鍵核心技術，取得460余項核心專利，獲評國家級專精特新“小巨人”企業(yè)、制造業(yè)單項冠軍示范企業(yè)。國際知名行業(yè)咨詢機構YOLE報告顯示，天岳先進半絕緣型碳化硅襯底市場占有率連續(xù)三年位居全球前三。

 

碳化硅襯底以其制作的器件具有耐高溫、抗高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，在新能源汽車、軌道交通、光伏發(fā)電等領域應用廣闊。在天岳先進展廳內，公司黨委書記竇文濤告訴記者，他們解決了碳化硅材料生長、襯底加工等一系列難題，實現(xiàn)在碳化硅領域的突破。

 

在元素周期表中，碳和硅的組合可以產生200多種晶型，而最適合半導體使用的4H單晶體生長難度最大。在碳化硅晶體生長爐內，溫度高達2300度。“最開始時，開爐就像開盲盒，能不能拿到4H單晶體全憑運氣。開一爐需要很長時間，拿到我們想要的數(shù)據需要數(shù)次試驗，時間不等人。”竇文濤說，公司在不斷增加設備的過程中，還實現(xiàn)了設備的自主研發(fā)，改變了高端半導體設備依賴進口的局面。

 

襯底直徑是衡量晶體制備水平的重要指標之一。“我們最初的產品是2英寸襯底，從2英寸到8英寸，我們用了10年。”竇文濤告訴記者，擴徑并不是簡單從2到3，而是從2.1、2.2開始，而且每一次擴徑意味著從設計到加工全流程的提升。

 

2015年，天岳先進4英寸碳化硅襯底投入生產，隨后的幾年里，公司通過自主創(chuàng)新，研發(fā)出半絕緣型碳化硅襯底產品，實現(xiàn)從0到1的突破。

 

今年6月，天岳先進6英寸導電型襯底開始大批量供貨，并與下游客戶簽署了總額為13.93億元的3年供貨合同。竇文濤說，天岳先進將持續(xù)加大8英寸導電型襯底產業(yè)化力度。

 

“碳化硅半導體材料生長溫度高，影響因素多，技術迭代周期相對較長。”竇文濤介紹，他們將采用AI技術、數(shù)字孿生技術，打造出數(shù)字化工廠，通過數(shù)字工廠和實體工廠聯(lián)動，壓縮技術迭代時間，提高研發(fā)速度。

 

天岳先進還將依托國家地方聯(lián)合工程研究中心、國家博士后科研工作站等多個研發(fā)平臺，為研發(fā)團隊的技術創(chuàng)新和人才培養(yǎng)提供有力支撐，并持續(xù)加大研發(fā)投入。“我們是一個典型的創(chuàng)新型企業(yè)，創(chuàng)造性地將研發(fā)分為基礎研究、工程化和產業(yè)化三個層面。”天岳先進董事長宗艷民表示，堅持科技創(chuàng)新是企業(yè)不變的追求，今年上半年，公司研發(fā)投入占營業(yè)收入的比例為33%。來源：大眾日報