據(jù)了解，漢驊半導(dǎo)體由江蘇產(chǎn)研院/國(guó)創(chuàng)中心、蘇州工業(yè)園區(qū)作為基石投資人，與海外原創(chuàng)團(tuán)隊(duì)三方共同出資1.15億人民幣發(fā)起成立，致力于化合物半導(dǎo)體核心材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。目前，公司主營(yíng)業(yè)務(wù)已拓展至新一代無(wú)線通訊、電力電子、高端顯示、虛擬/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等新興領(lǐng)域，并為相關(guān)產(chǎn)業(yè)提供核心關(guān)鍵技術(shù)支持。其中，硅基氮化鎵電力電子外延產(chǎn)品覆蓋了增強(qiáng)型外延和耗盡型外延全應(yīng)用領(lǐng)域，適用于30伏至900伏，并廣泛應(yīng)用于快充、無(wú)人機(jī)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

 

　　漢驊半導(dǎo)體獨(dú)有的硅基/藍(lán)寶石基紅、綠、藍(lán)全色氮化鎵外延技術(shù)，可廣泛應(yīng)用于新一代高端顯示領(lǐng)域，可在晶圓層實(shí)現(xiàn)硅基集成電路與III-V化合物半導(dǎo)體器件的高密度常溫混合集成。在光電領(lǐng)域，該技術(shù)已實(shí)現(xiàn)全色3D IC混合集成，突破微顯示瓶頸，帶來(lái)高亮度、高效率、高品質(zhì)的μLED成像效果。目前，漢驊半導(dǎo)體已在蘇州工業(yè)園區(qū)核心區(qū)域建成約20000平方米廠區(qū)、可容納60臺(tái)MOCVD設(shè)備的配套設(shè)施、5000平方米潔凈室，年產(chǎn)能約30萬(wàn)片高端氮化鎵外延量產(chǎn)產(chǎn)線以及一條6-8寸兼容μLED芯片工藝線。