半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：9月23日，基本半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元C4輪融資，由德載厚資本、國華投資、新高地等機構(gòu)聯(lián)合投資，現(xiàn)有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機構(gòu)繼續(xù)追加投資。
本輪融資將用于進一步加強碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的研發(fā)制造能力，提升產(chǎn)能規(guī)模，支撐碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車、光伏儲能等市場的大規(guī)模應(yīng)用，提升基本半導(dǎo)體在碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)的核心競爭力。
據(jù)了解，基本半導(dǎo)體創(chuàng)立于2016年，研發(fā)方向是第三代半導(dǎo)體碳化硅功率芯片及模塊，覆蓋材料制備、芯片設(shè)計、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、碳化硅驅(qū)動芯片等。公司擁有一支國際化的研發(fā)團隊，核心成員包括二十余位來自清華大學(xué)、中國科學(xué)院、英國劍橋大學(xué)、德國亞琛工業(yè)大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院、瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院等國內(nèi)外知名高校及研究機構(gòu)的博士。公司總部位于深圳，在北京、上海、南京、無錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。在無錫投產(chǎn)了汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線，2025年預(yù)計產(chǎn)能達到400萬只模塊，將有力支持車企實現(xiàn)電機控制器從硅到碳化硅的替代。
基本半導(dǎo)體掌握領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的材料制備、芯片設(shè)計、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，累計獲得兩百余項專利授權(quán)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、碳化硅驅(qū)動芯片等，性能達到國際先進水平，服務(wù)于光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。
同時，基本半導(dǎo)體的優(yōu)勢一方面在于產(chǎn)品創(chuàng)新，所研發(fā)的第三代650V、1200V系列碳化硅二極管和混合碳化硅分立器件，實現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸和更強的浪涌能力。此外，在汽車級碳化硅功率模塊方面，基本半導(dǎo)體的半橋MOSFET模塊Pcore™2、三相全橋MOSFET模塊Pcore™6、塑封半橋MOSFET模塊Pcell™等產(chǎn)品采用銀燒結(jié)技術(shù)，綜合性能達到國際先進水平。
據(jù)了解，基本半導(dǎo)體于2021年9月完成C1輪融資，由松禾資本等機構(gòu)聯(lián)合投資。2022年6月完成C2輪融資，由廣汽資本、潤峽招贏、藍海華騰等機構(gòu)聯(lián)合投資。2022年7月1日，基本半導(dǎo)體完成C3輪融資，由粵科金融和初芯基金聯(lián)合投資。
同時，基本半導(dǎo)體的優(yōu)勢一方面在于產(chǎn)品創(chuàng)新，所研發(fā)的第三代650V、1200V系列碳化硅二極管和混合碳化硅分立器件，實現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸和更強的浪涌能力。此外，在汽車級碳化硅功率模塊方面，基本半導(dǎo)體的半橋MOSFET模塊Pcore™2、三相全橋MOSFET模塊Pcore™6、塑封半橋MOSFET模塊Pcell™等產(chǎn)品采用銀燒結(jié)技術(shù)，綜合性能達到國際先進水平。
在9月15日，埃安發(fā)布了Hyper SSR超跑，Hyper SSR超跑百公里加速1.9s，打破超跑2秒加速性能極限，搭載埃安獨創(chuàng)的兩擋四合一高性能電機，采用高鐵同款900V碳化硅芯片，能夠?qū)崿F(xiàn)12000牛·米的輪上峰值扭矩，最大輸出功率可以達到900千瓦，帶來1.7G堪比火箭發(fā)射的強勁推背感；1225匹的綜合馬力，比F1賽事標(biāo)準(zhǔn)還要高出1.5倍。埃安獨創(chuàng)的兩檔四合一高性能電機選用基本半導(dǎo)體汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore™6，該碳化硅模塊支持900V的工作電壓，可使電機工作頻率提高2.5倍，同時降低80%的功率損耗。
Pcore™6汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片，是基本半導(dǎo)體的一款旗艦型產(chǎn)品。該模塊專為混合動力和電動汽車核心牽引驅(qū)動器高性能、高效率應(yīng)用需求而設(shè)計，結(jié)構(gòu)非常緊湊。
作為國內(nèi)碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，基本半導(dǎo)體研發(fā)覆蓋碳化硅材料制備、芯片設(shè)計、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈，并建立了完備的國內(nèi)國外雙循環(huán)供應(yīng)鏈體系。公司自研的碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、碳化硅驅(qū)動芯片等核心產(chǎn)品，性能達到國際先進水平，器件產(chǎn)品累計出貨超過2000萬顆。目前，基本半導(dǎo)體正和國內(nèi)外多家頭部車企及電機控制器Tier1企業(yè)進行測試開發(fā)，并已獲得多家客戶的定點。公司2021年通線的無錫汽車級碳化硅功率模塊封裝產(chǎn)線也已進入量產(chǎn)階段。
據(jù)了解，基本半導(dǎo)體于2021年9月完成C1輪融資，由松禾資本等機構(gòu)聯(lián)合投資。2022年6月完成C2輪融資，由廣汽資本、潤峽招贏、藍海華騰等機構(gòu)聯(lián)合投資。2022年7月1日，基本半導(dǎo)體完成C3輪融資，由粵科金融和初芯基金聯(lián)合投資。
