半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，清純半導(dǎo)體1200V 75 mΩ SiC MOSFET成功通過國內(nèi)第三方可靠性驗證，榮獲全套AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證并通過高壓960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核。據(jù)悉，清純半導(dǎo)體是國內(nèi)首次SiC MOSFET產(chǎn)品能夠同時通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證和HV-H3TRB雙重考核的公開報道。

清純半導(dǎo)體以提供國際一流的碳化硅（SiC）功率器件為己任，努力滿足新能源汽車及光伏等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、高可靠性的產(chǎn)品需求。自公司成立以來，通過具有自主知識產(chǎn)權(quán)的獨(dú)到技術(shù)持續(xù)優(yōu)化SiC器件各方面性能，致力于打造對標(biāo)國際領(lǐng)先水平的系列產(chǎn)品。

AEC-Q101是汽車行業(yè)最為重要的的國際標(biāo)準(zhǔn)之一，是國際汽車行業(yè)通用的技術(shù)規(guī)范，是汽車電子必須獲得的認(rèn)證之一。對于1200V耐壓器件，其在高壓高濕高溫反偏（HTRB）考核標(biāo)準(zhǔn)中耐壓通常為100V；而在HV-H3TRB考核中耐壓提高到960V，因而對器件的設(shè)計、制造及封裝技術(shù)提出了極高的挑戰(zhàn)。通過了HV-H3TRB可靠性驗證極大程度上代表功率器件在極端運(yùn)行環(huán)境下的優(yōu)良耐受能力及使用壽命，因而其逐漸成為各大主流汽車及光伏儲能廠家對高可靠性功率器件的通用要求。

清純半導(dǎo)體表示，此次通過該車規(guī)可靠性認(rèn)證，標(biāo)志著產(chǎn)品質(zhì)量邁入了國際領(lǐng)先水平，為公司在新能源汽車及光伏領(lǐng)域等市場的拓展奠定了堅實(shí)基礎(chǔ)，是繼成功量產(chǎn)不同規(guī)格SiC MOSFETs（例如國內(nèi)領(lǐng)先的15V驅(qū)動SiC MOSFETs和國內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的14毫歐SiC MOSFET）之后又一“里程碑”事件。我司將以此為契機(jī)，腳踏實(shí)地，銳意進(jìn)取，不斷提升產(chǎn)品性能，為我國節(jié)能減排和新能源事業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)自己的力量。