杭州士蘭微電子股份有限公司10月24日發(fā)布對(duì)外投資進(jìn)展公告稱，近期，士蘭明鎵 SiC 功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線，首個(gè) SiC 器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求，項(xiàng)目取得了階段性進(jìn)展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試，目標(biāo)是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6 英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。公司目前已完成第一代平面柵 SiC-MOSFET 技術(shù)的開發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平。公司已將 SiC-MOSFET 芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標(biāo)較好，繼續(xù)完成評(píng)測，即將向客戶送樣。

資料顯示，杭州士蘭微電子股份有限公司與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司于 2017 年 12 月 18 日在中國廈門共同簽署了《關(guān)于化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》，雙方合作在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條4/6吋兼容的化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線，總投資 50億元，其中一期

總投資20億元，二期總投資30億元。根據(jù)《投資合作協(xié)議》，雙方在廈門市海滄區(qū)共同投資設(shè)立了廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司。截至 2021 年底，士蘭明鎵已完成第一期 20 億元的投資，形成了每月 7.2萬片 4 英寸 GaN 和 GaAS 高端 LED 芯片的產(chǎn)能，其產(chǎn)品在小間距顯示、mini LED顯示屏、紅外光耦、安防監(jiān)控、車用 LED 等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

士蘭明鎵已于2022年7月正式啟動(dòng)化合物半導(dǎo)體第二期建設(shè)項(xiàng)目，即“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”。本項(xiàng)目計(jì)劃投資15億元，建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，最終形成年產(chǎn)14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能，其中SiC-MOSFET芯片12萬片/年、SiC-SBD芯片2.4萬片/年。