半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：11月15日，在第三屆亞太碳化硅及相關材料國際會議暨首屆第三代半導體徐州金龍湖峰會上，天科合達現(xiàn)場發(fā)布8英寸導電碳化硅襯底晶片。

8英寸導電碳化硅襯底晶片由北京天科合達半導體股份有限公司生產(chǎn)，主要應用新能源汽車、光伏等領域。該公司副總經(jīng)理、技術總監(jiān)劉春俊介紹，在碳化硅器件各環(huán)節(jié)中，襯底占成本的近50%。襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本越低，8英寸襯底晶片產(chǎn)品比6英寸產(chǎn)品可多切近90%的芯片，邊緣浪費降低7%。

天科合達8英寸新產(chǎn)品發(fā)布會得到了第三代半導體行業(yè)的廣泛關注。作為碳化硅襯底國內(nèi)的龍頭企業(yè)，天科合達不斷突破大尺寸、高質(zhì)量碳化硅的關鍵制備技術，引領了國內(nèi)碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化。天科合達副總經(jīng)理、技術總監(jiān)劉春俊在會議上公布了8英寸產(chǎn)品的關鍵實測數(shù)據(jù)。根據(jù)劉春俊博士的報告，天科合達8英寸導電型碳化硅產(chǎn)品的多項指標均處于行業(yè)內(nèi)領先水平，已經(jīng)達到了量產(chǎn)標準。并且，透露了將8英寸的小規(guī)模量產(chǎn)定在2023年。

天科合達這次發(fā)布的產(chǎn)品主要指標如下：

1）碳化硅晶錠直徑達到209毫米；

2）拉曼光譜測試數(shù)據(jù)表明，8英寸碳化硅晶片100%面積為4H晶型；

3）XRD三點搖擺曲線數(shù)據(jù)表明，半高寬小于20arcsec；

4）8英寸產(chǎn)品微管密度＜0.1/cm2，僅在晶片邊緣存在極少量微管缺陷；

5）8英寸位錯密度 EPD＜4000/cm2,TSD能達到100/cm2以下，BPD能達到200/cm2以下，位錯密度整體處于國際領先水平。

徐州經(jīng)開區(qū)堅持把半導體產(chǎn)業(yè)作為重點發(fā)展的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之一，近年來實現(xiàn)此前國內(nèi)空白的鑫華電子級多晶硅、鑫晶12英寸大硅片通線量產(chǎn)，中科智芯晶圓級先進封裝、晶凱存儲芯片封裝模組等一批重大項目成功落地。今年前10個月，該產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)產(chǎn)值87億元、同比增長52%。徐州市委常委、經(jīng)開區(qū)黨工委書記張克表示，經(jīng)開區(qū)將加快推進天科合達二期年產(chǎn)16萬片碳化硅襯底晶片以及三期100萬片外延片、華盛盈科碳化硅封測及模組等項目，支持中科漢韻碳化硅功率器件達產(chǎn)達效，全力構建襯底、外延片、器件、封測等較為完備的第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈。