近年，第三代半導(dǎo)體在多個(gè)領(lǐng)域嶄露頭角。以碳化硅、氮化鎵為主的第三代化合物半導(dǎo)體已然成為產(chǎn)業(yè)端寵兒，第三代半導(dǎo)體材料與前兩代半導(dǎo)體材料相比，其最大的優(yōu)勢是較寬的禁帶寬度，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率的電子器件。

作為渾璞投資最新投資的半導(dǎo)體材料廠商，南砂晶圓在碳化硅襯底領(lǐng)域可謂實(shí)力強(qiáng)勁。

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司成立于2018年9月，是一家從事碳化硅單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售三位一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。公司以山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室近年來研發(fā)的最新碳化硅單晶生長與襯底加工技術(shù)成果為基礎(chǔ)，同山東大學(xué)開展全方位產(chǎn)學(xué)研合作。

早年在蔣民華院士的指導(dǎo)下，長江學(xué)者徐現(xiàn)剛特聘教授帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)歷經(jīng)多年研發(fā)，成功突破了碳化硅單晶生長及襯底制備技術(shù)，為碳化硅襯底的國產(chǎn)商業(yè)化奠定了良好基礎(chǔ)。公司產(chǎn)品以6英寸半絕緣和N型碳化硅襯底為主，可視市場需求不斷豐富產(chǎn)品線。第三代半導(dǎo)體材料作為新基建的戰(zhàn)略性材料，公司將立足奧港澳大灣區(qū)，力爭發(fā)展成為全國乃至全球馳名的碳化硅半導(dǎo)體公司。

N型碳化硅襯底

N型碳化硅襯底主要用于高電壓大電流的電子器件，包括肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、工業(yè)電力系統(tǒng)、高鐵等領(lǐng)域。

支撐新能源汽車、高鐵等動(dòng)力系統(tǒng)的升級(jí)換代

高速軌道交通，如高鐵的動(dòng)力系統(tǒng)采用寬禁帶半導(dǎo)體功率模莫塊可使系統(tǒng)體積減小20%，重量降低20%,系統(tǒng)損耗降低20%；功率半導(dǎo)體芯片是新能源汽車電控系統(tǒng)的“心臟”約占整車半導(dǎo)體用量的80%，采用寬禁帶半導(dǎo)體功率模塊可使體積重量減少80%電能轉(zhuǎn)換效率提升20%。

支撐能源技術(shù)升級(jí)，實(shí)現(xiàn)特高壓輸變電技術(shù)國際引領(lǐng)

國家正在推動(dòng)新能源大規(guī)模開發(fā)利用和新型用電設(shè)施發(fā)展,碳化硅器件是滿足萬伏千安電網(wǎng)變電技術(shù)需求的唯一功率半導(dǎo)體器件，可使系統(tǒng)體積減小40%能量損耗減少50%；屬于通信基礎(chǔ)設(shè)施的5G基站網(wǎng)絡(luò)整體能耗是4G的10倍，而數(shù)據(jù)中心電能損耗超過總運(yùn)營成本40%；寬禁帶半導(dǎo)體功率模塊使5G基站和數(shù)據(jù)中心電源變換損耗減少30%。

半絕緣型碳化硅襯底

半絕緣型碳化硅襯底主要用于微波射頻器件，如高電子遷移多率晶體管(HEMT)，具有大功率密度、耐高溫、抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于5G通訊、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

支撐新一代移動(dòng)通信系統(tǒng)核心器件的自主可控

相對(duì)于Si基和GaAs基射頻器件，具有更高功率、更高效率、 更高工作溫度和抗輻射能力，是迄今最 具優(yōu)勢的半導(dǎo)體射頻電子器件；同時(shí)實(shí)現(xiàn)高頻、高效、寬帶、大功率的唯一 半導(dǎo)體材料，應(yīng)用于5G移動(dòng)通信、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等領(lǐng)域。

碳化硅晶體主要加工為碳化硅襯底

渾璞投資表示：“非常看好南砂晶圓在碳化硅襯底的成就和發(fā)展，非常認(rèn)可以徐現(xiàn)剛教授為首的研發(fā)團(tuán)隊(duì)的能力，非常認(rèn)同管理團(tuán)隊(duì)的理念和企業(yè)的戰(zhàn)略規(guī)劃，期待南砂晶圓為碳化硅襯底國產(chǎn)化貢獻(xiàn)出自己的一份力量。”