近日，瞻芯電子正式推出2款650V TOLL封裝的碳化硅(SiC) MOSFET產(chǎn)品，分別為650V 40mΩ和60mΩ的SiC MOSFET，現(xiàn)已完成工規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(JEDEC)。這兩款產(chǎn)品采用TOLL(TO-leadless)封裝，能滿足更緊湊、低損耗、更高功率設(shè)計(jì)的應(yīng)用要求，幫助高性能電源提高能效和功率密度，并改善電磁干擾(EMI) ，簡(jiǎn)化PCB 設(shè)計(jì)。

眾所周知，SiC 器件比Si器件具有明顯的優(yōu)勢(shì)，包括：更低損耗、更高頻率、更低的EMI、耐受更高工作溫度和更可靠。

TOLL是一種表面貼裝型封裝，瞻芯電子的TOLL封裝產(chǎn)品投影尺寸為 10.10 mm x 11.88 mm，對(duì)比TO263-7(D2PAK 7)封裝， PCB 占用面積減少20%。而且，它的外形厚度僅為 2.40 mm，比 TO263-7(D2PAK 7)封裝的體積小 60%。

當(dāng)性能更優(yōu)的SiC MOSFET 采用TOLL封裝后，不僅顯著減小體積、降低損耗，而且對(duì)比 TO263-7(D2PAK 7)封裝，背面金屬片的尺寸更大，散熱性能更好。

除了尺寸更小，TOLL 封裝也是開(kāi)爾文源極(Kelvin source)配置（4引腳型封裝），能減小封裝中源極線的電感，來(lái)抑制開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的振蕩，門(mén)極噪聲更低，降低了開(kāi)關(guān)損耗，有利于發(fā)揮MOSFET高速開(kāi)關(guān)的性能優(yōu)勢(shì)。

IV1Q06040L1 ，IV1Q06060L1G是瞻芯電子首批采用TOLL封裝的SiC MOSFET，主要適用于要求嚴(yán)苛的光伏逆變器、UPS電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高壓DC/DC變換器、開(kāi)關(guān)電源等場(chǎng)景。相對(duì)Si器件較低的柵極總電荷，能顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，且適應(yīng)-55~ 175°C 工作溫度范圍。

封裝特性：

適合于更高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用（實(shí)現(xiàn)高功率密度）

因具有較大尺寸的后面金屬片，可降低器件溫度

比TO-263-7L封裝，厚度更低，占用PCB面積更小

比TO-263-7L封裝，源電感更低

應(yīng)用領(lǐng)域：

光伏/Solar

儲(chǔ)能/ESS & UPS

數(shù)據(jù)中心電源/Datacenter Power

工業(yè)與醫(yī)療電源/Industrial &  Medical Power

電機(jī)驅(qū)動(dòng)/Motor Drives

通信電源/Telecom Power