近日，吉利科技旗下浙江晶能微電子有限公司宣布，其自主設計研發(fā)的首款車規(guī)級IGBT產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項參數(shù)均達到設計要求。

圖片來源：吉利科技集團

吉利科技集團消息顯示，該款IGBT芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術，通過優(yōu)化表面結構和FS結構，兼具短路耐受同時實現(xiàn)更低的導通/開關損耗，功率密度增大約35%，綜合性能指標達到行業(yè)領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。

晶能微電子表示，一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導體占比接近 1/4。公司將圍繞動力總成系統(tǒng)中的開發(fā)需求，不斷研制性能優(yōu)越的芯片和模塊產(chǎn)品。

晶能微電子自主研發(fā) IGBT HP Drive 模塊

據(jù)悉，晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導體公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創(chuàng)新，發(fā)揮“芯片設計+模塊制造+車規(guī)認證”的綜合能力，為新能源汽車、電動摩托車、光伏、儲能、新能源船舶等客戶提供性能優(yōu)越的功率產(chǎn)品和服務。