吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布，其自主設計研發(fā)的首款車規(guī)級 IGBT 產品成功流片。新款芯片各項參數(shù)均達到設計要求。

該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術，通過優(yōu)化表面結構和 FS 結構，兼具短路耐受同時實現(xiàn)更低的導通 / 開關損耗，功率密度增大約 35%，綜合性能指標達到行業(yè)領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。

晶能表示，一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導體占比接近 1/4。公司將圍繞動力總成系統(tǒng)中的開發(fā)需求，不斷研制性能優(yōu)越的芯片和模塊產品。

IGBT 是現(xiàn)代電力電子中的主導型器件，被譽為電力電子行業(yè)里的 CPU。近期，也有行業(yè)開發(fā)者討論將 Si IGBT 和 SiC MOS 封裝在一起，形成混合并聯(lián)模塊的解決方案。未來，功率芯片和模塊的創(chuàng)新應用場景會更加豐富。

晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導體公司，聚焦于 Si IGBT&SiC MOS 的研制與創(chuàng)新，發(fā)揮“芯片設計 + 模塊制造 + 車規(guī)認證”的綜合能力，為新能源汽車、電動摩托車、光伏、儲能、新能源船舶等客戶提供性能優(yōu)越的功率產品和服務。

(來源：IT之家)