據(jù)韓國媒體THELEC報導，三星電子正在推進設備投資，以開發(fā)8英寸SiC/GaN工藝，目前已經(jīng)投資了1000 億至 2000 億韓元（約合人民幣5.3億至10.6億元）。

報道稱，三星電子在今年年初成立了“功率半導體”任務小組（TF），進軍 SiC/GaN 功率半導體市場。據(jù)了解，除了三星電子DS事業(yè)部內(nèi)的主要事業(yè)部外，LED事業(yè)部和三星高等技術研究院也參與了“功率半導體”任務小組，具體目標就是開發(fā)8英寸SiC GaN工藝。

一位韓國的知情人士表示，“我了解到三星電子決定推動一項計劃，將用于 SiC 和 GaN 開發(fā)的 LED 工藝中使用的部分 8 英寸設備混合使用，以提高開發(fā)效率。”值得注意的是，與GaN已經(jīng)普及8英寸晶圓不同，SiC目前仍以4英寸和6英寸晶圓為主，8英寸晶圓還沒有達到商業(yè)化。最早2024-2025年，Wolfspeed、Twosix、SK Siltron等大廠正式定下8英寸SiC晶圓量產(chǎn)的目標。

因此，業(yè)界認為，考慮到進入實際SiC市場的時機，三星電子正在嘗試從8英寸而不是6英寸開始開發(fā)工藝。在類似的背景下，DB HiTek 計劃使用 6 英寸進行 SiC 工藝的初步開發(fā)，并從 8 英寸開始進行實際的功率半導體量產(chǎn)。目前，三星電子正在投資 8 英寸工藝設施，用于 SiC/GaN 開發(fā)，迄今為止的投資額已經(jīng)超過1000億至2000億韓元。據(jù)估計，該投資規(guī)模足以實現(xiàn)原型的量產(chǎn)，而不僅僅是簡單的開發(fā)。

報道稱，三星電子內(nèi)部對下一代功率半導體業(yè)務抱有相當大的熱情。一位業(yè)內(nèi)人士暗示說：隨著三星DS 部門總裁Kyung-hyeon直接負責，功率半導體業(yè)務正在蓄勢待發(fā)。三星電子表示，（SiC功率半導體）相關業(yè)務仍處于研究階段，尚未決定是否將其具體商業(yè)化。

（來源：芯智訊）