后摩爾時(shí)代，化合物半導(dǎo)體材料得到越來越廣泛的應(yīng)用，將為許多行業(yè)的智能化、數(shù)字化、可持續(xù)發(fā)展提供新的解決方案，幫助人類構(gòu)建起可持續(xù)發(fā)展的未來。隨著人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等新興技術(shù)的快速發(fā)展及應(yīng)用，高速半導(dǎo)體器件的需求不斷增加，化合物半導(dǎo)體市場迎來新的機(jī)遇期。

4月19-21日，首屆中國光谷九峰山論壇在武漢召開，期間，“平行論壇1：化合物半導(dǎo)體關(guān)鍵材料與制備工藝“如期召開。分會上，來自Ipswich Research Centre，中科院半導(dǎo)體所，中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、深圳先進(jìn)電子材料國際創(chuàng)新研究院，南京大學(xué)先進(jìn)光電芯片及信息系統(tǒng)研究院，南京大學(xué)，西安交通大學(xué)，中電科十三所，中電科第四十八所、中電科、山西爍科，廣東天域半導(dǎo)體，蘇州晶湛半導(dǎo)體，遠(yuǎn)山新材料，云南鑫耀，江蘇南大光電，全磊光電，中電化合物半導(dǎo)體，深圳市納設(shè)智能等實(shí)力派科研機(jī)構(gòu)、產(chǎn)業(yè)鏈知名企業(yè)領(lǐng)袖代表，帶來精彩報(bào)告，深入探討化合物半導(dǎo)體關(guān)鍵材料與制備工藝的研究進(jìn)展。

》》論壇特邀嘉賓主持人《《

房玉龍

中電科十三所基礎(chǔ)研究部主任

鞏小亮

中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、半導(dǎo)體裝備研究部主任

潘堯波

中電化合物半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理

陳炳安

深圳市納設(shè)智能裝備有限公司董事長

》》論壇報(bào)告嘉賓《《

Ipswich Research Centre首席技術(shù)專家Graham BERRY分析了InP光電子技術(shù)的研究進(jìn)展

中電科半導(dǎo)體材料有限公司副總經(jīng)理，山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理李斌帶來了”SiC單晶生長技術(shù)淺析及應(yīng)用展望“的主題報(bào)告

廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司何鑫帶來了”4H-SiC外延材料關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化“的主題報(bào)告

中科院半導(dǎo)體所副所長、研究員張韻做“ III氮化物異質(zhì)結(jié)電子器件：HBT和HEMT”的主題報(bào)告

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司董事長、總裁程凱做“大尺寸GaN外延技術(shù)進(jìn)展”的主題報(bào)告

中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員歐欣做“晶圓級異質(zhì)集成XOI材料與器件”的主題報(bào)告

深圳先進(jìn)電子材料國際創(chuàng)新研究院院長孫蓉做“先進(jìn)聚合物基電子封裝材料研究與應(yīng)用”的主題報(bào)告

遠(yuǎn)山新材料科技有限公司副總經(jīng)理結(jié)城智分享了“高耐壓PSJ技術(shù)”的主題報(bào)告

南京大學(xué)教授葉建東帶來了“氧化鎵異質(zhì)外延集成與功率器件進(jìn)展”的主題報(bào)告

西安交通大學(xué)王艷豐分享了“金剛石半導(dǎo)體新進(jìn)展”的主題報(bào)告

云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司陳飛宏做“磷化銦、砷化鎵襯底材料發(fā)展趨勢”的主題報(bào)告

南京大學(xué)先進(jìn)光電芯片及信息系統(tǒng)研究院執(zhí)行院長、南智芯材創(chuàng)始人趙剛做了“聲表面波器件用鈮酸鋰/鉭酸鋰拋光晶片還原（黑化）原理及測試方法”的主題報(bào)告

珠海鼎泰芯源晶體有限公司董事長趙有文做了“優(yōu)質(zhì)磷化銦、銻化鎵和砷化銦襯底的量產(chǎn)及國產(chǎn)高純原材料應(yīng)用”的主題報(bào)告

江蘇南大光電材料股份有限公司總經(jīng)理助理、定制產(chǎn)品中心總監(jiān)徐濤做了“高純前驅(qū)體助力化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)”的主題報(bào)告

全磊光電股份有限公司CTO單智發(fā)做了“InP及GaAs基外延材料技術(shù)進(jìn)展”的主題報(bào)告

中電科十三所基礎(chǔ)研究部主任房玉龍做了“面向更高頻應(yīng)用的化合物半導(dǎo)體外延技術(shù)”的主題報(bào)告

（備注：以上信息未經(jīng)報(bào)告嘉賓逐一確認(rèn)，如有出入敬請諒解?。?/p>