天眼查顯示，中芯國(guó)際“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利獲授權(quán)，授權(quán)公告日為5月16日，授權(quán)公告號(hào)為CN110581174B。該專利的專利權(quán)人包括中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司、中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司。

圖片來(lái)源：天眼查

專利摘要顯示，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，方法包括：提供基底，包括襯底以及位于襯底上的鰭部，基底包括相鄰接的第一區(qū)域和第二區(qū)域，鰭部沿延伸方向橫跨第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域基底內(nèi)形成有阱區(qū)，第二區(qū)域基底內(nèi)形成有漂移區(qū)；形成覆蓋鰭部頂部表面和側(cè)壁表面的柵氧化層；在第一區(qū)域和第二區(qū)域交界處的柵氧化層上形成柵極層，柵極層橫跨鰭部且覆蓋鰭部部分頂部和部分側(cè)壁的柵氧化層；在柵極層一側(cè)的阱區(qū)內(nèi)形成源區(qū)，在柵極層另一側(cè)的漂移區(qū)內(nèi)形成漏區(qū)；形成源區(qū)和漏區(qū)后，依次刻蝕位于漏區(qū)一側(cè)部分第二區(qū)域的柵極層、柵氧化層以及漂移區(qū)部分厚度基底，在漂移區(qū)內(nèi)形成隔離槽；在隔離槽內(nèi)形成隔離層。

據(jù)悉，本發(fā)明有利于提升LDMOS的耐壓性能。

（來(lái)源：集微）