7月11日，慕尼黑上海光博會(huì)火熱開(kāi)展，同期長(zhǎng)光華芯參股公司鎵銳芯光簽約儀發(fā)布式圓滿舉行。長(zhǎng)光華芯攜手鎵銳芯光，共同進(jìn)軍可見(jiàn)光領(lǐng)域，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)在氮化鎵藍(lán)綠光激光器領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化的空白。

蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司董事長(zhǎng)/總經(jīng)理閔大勇致辭，合作成立鎵銳芯光符合長(zhǎng)光華芯“一平臺(tái)、一支點(diǎn)、橫向擴(kuò)展、縱向延伸”發(fā)展戰(zhàn)略的戰(zhàn)略需求和重要實(shí)踐，進(jìn)一步拓展了長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光器芯片的材料體系、波譜范圍和市場(chǎng)應(yīng)用。鎵銳芯光團(tuán)隊(duì)是國(guó)內(nèi)目前從事藍(lán)綠光激光器研究具有頂尖水平的團(tuán)隊(duì)，正處于研究成果產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)型關(guān)鍵期，我們強(qiáng)強(qiáng)合作，共同開(kāi)拓可見(jiàn)光領(lǐng)域無(wú)限發(fā)展前景，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)又一項(xiàng)激光領(lǐng)域的“芯”空白。

蘇州鎵銳芯光科技有限公司董事長(zhǎng)/總經(jīng)理劉建平致辭，感謝各位新老朋友的支持。鎵銳芯光的成立對(duì)我和我們團(tuán)隊(duì)意義重大，我親歷了中國(guó)GaN激光器發(fā)展全過(guò)程。2004年，在中科院半導(dǎo)體所讀博期間，我的博士導(dǎo)師楊輝研究員帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)研制出了國(guó)內(nèi)第一支GaN紫光激光器，我的博士課題也與激光器結(jié)構(gòu)有關(guān)。2008年，我在美國(guó)佐治亞理工學(xué)院做博士后研究期間研制出GaN藍(lán)光激光器?；貒?guó)后，我在中科院蘇州納米所繼續(xù)GaN激光器的研究，期間GaN激光器應(yīng)用漸熱，我們團(tuán)隊(duì)也成長(zhǎng)為GaN激光器研究領(lǐng)域的知名團(tuán)隊(duì)，研發(fā)的藍(lán)光和綠光激光器光功率分別達(dá)到了1.2W和7.5W，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白?，F(xiàn)在，我們的藍(lán)綠光激光器正式吹響了向產(chǎn)業(yè)化進(jìn)軍的號(hào)角。我們相信，依托我們領(lǐng)先的GaN激光器技術(shù)實(shí)力和長(zhǎng)光華芯成熟的激光芯片IDM全流程工藝平臺(tái)和生產(chǎn)線，未來(lái)我們必將打破氮化鎵激光芯片依賴進(jìn)口的局面，實(shí)現(xiàn)氮化鎵激光芯片的國(guó)產(chǎn)化替代。

蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司對(duì)外投資設(shè)立參股公司——蘇州鎵銳芯光科技有限公司，該公司是在前期由長(zhǎng)光華芯和中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所聯(lián)合建設(shè)的氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室基礎(chǔ)上成立的成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)公司，受到中央電視臺(tái)新聞聯(lián)播關(guān)注報(bào)道。

第三代半導(dǎo)體材料（寬禁帶半導(dǎo)體）氮化鎵（GaN）以及其合金氮化物是直接帶隙半導(dǎo)體，其可調(diào)節(jié)的能帶寬度使其發(fā)光波長(zhǎng)覆蓋從深紫外、可見(jiàn)光直至紅外的寬廣的波譜范圍。氮化鎵半導(dǎo)體激光器具有直接發(fā)光、高效率、高穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì)，藍(lán)光和綠光波段的GaN激光器產(chǎn)品，已經(jīng)在激光加工（有色金屬加工、激光直寫(xiě)）、激光顯示（激光大屏電視，XR微投影）、激光照明（車載大燈）、特殊通信等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用，總體市場(chǎng)需求超百億元且呈現(xiàn)較高的復(fù)合增長(zhǎng)趨勢(shì)。

然而，長(zhǎng)期以來(lái)，氮化鎵激光器芯片產(chǎn)品基本全部依賴進(jìn)口，是亟需實(shí)現(xiàn)自主可控的卡脖子技術(shù)。

填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白

鎵銳芯光團(tuán)隊(duì)是國(guó)內(nèi)最早從事氮化鎵基激光器研究的團(tuán)隊(duì)，曾先后攻破關(guān)鍵核心技術(shù)，研制出國(guó)內(nèi)首顆氮化鎵基藍(lán)光和綠光激光器芯片，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)在氮化鎵的藍(lán)綠光激光器領(lǐng)域的空白，研發(fā)成果和技術(shù)水平國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際一流。目前團(tuán)隊(duì)研制的綠光激光器光功率已達(dá)1.2W，處于國(guó)際先進(jìn)水平。大功率藍(lán)光激光器光功率已達(dá)7.5W，達(dá)到國(guó)際一流水平。

鎵銳芯光旨在成為國(guó)內(nèi)第一、國(guó)際一流的氮化鎵基激光器芯片IDM企業(yè)，自主掌握外延設(shè)計(jì)與材料生長(zhǎng)、芯片設(shè)計(jì)與制造、封裝與測(cè)試等全流程設(shè)計(jì)和工藝制造能力，用技術(shù)創(chuàng)新推進(jìn)中國(guó)激光產(chǎn)業(yè)鏈的完整性、領(lǐng)先性。

在長(zhǎng)光華芯成熟的半導(dǎo)體激光器芯片IDM運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)和鎵銳芯光團(tuán)隊(duì)頂尖的技術(shù)能力的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合下，鎵銳芯光必將大大加速國(guó)產(chǎn)氮化鎵激光器芯片的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，預(yù)計(jì)2023年底完成藍(lán)光、綠光芯片產(chǎn)品的工程樣片和種子客戶驗(yàn)證，2024年建成國(guó)內(nèi)最大的氮化鎵激光器芯片量產(chǎn)線并實(shí)現(xiàn)包括紫光芯片在內(nèi)的全系列產(chǎn)品量產(chǎn)出貨，助力氮化鎵激光器產(chǎn)業(yè)高速、高質(zhì)量發(fā)展。

GaN激光器研究進(jìn)展與應(yīng)用

7月11日，慕尼黑上海光博會(huì)展館內(nèi)，蘇州鎵銳芯光科技有限公司董事長(zhǎng)/總經(jīng)理/研究員劉建平博士在激光技術(shù)持續(xù)賦能智能制造論壇上做題為《GaN激光器研究進(jìn)展與應(yīng)用》主題演講。

基于自發(fā)輻射發(fā)光的GaN基藍(lán)光LED已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用，其發(fā)明者被授予 2014 年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)?；谑芗ぽ椛涞牡壔す馄饕彩侵匾墓怆娮悠骷?，在激光顯示、激光加工、量子信息、水下通信和探測(cè)成像等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用前景。

報(bào)告介紹了鎵銳芯光在氮化鎵基激光器的研究進(jìn)展，包括氮化鎵基半導(dǎo)體和ITO透明導(dǎo)電層為光限制層的復(fù)合光腔結(jié)構(gòu)GaN基激光器的設(shè)計(jì)和制備，以及其在提高激光器性能方面的優(yōu)勢(shì)；介紹了激光器增益區(qū)多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料外延生長(zhǎng)，特別是大應(yīng)變綠光多量子阱有源區(qū)的缺陷抑制方法，高量子效率和高均勻綠光有源區(qū)生長(zhǎng)技術(shù)等。因?yàn)樵谄骷O(shè)計(jì)和外延生長(zhǎng)等方面的進(jìn)展，我們研制出大功率激光器，綠光激光器的閾值為1.8 kA/cm2，斜率效率為0.8 W/A，在2A電流下，光功率達(dá)到1.2W；連續(xù)電流注入下工作，藍(lán)光激光器最大連續(xù)工作光功率達(dá)到7.5W。