近日，芯塔電子正式發(fā)布自主研發(fā)的1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品。此舉進(jìn)一步豐富了公司SiC產(chǎn)品系列，也是芯塔電子在寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國(guó)產(chǎn)化方面的又一關(guān)鍵里程碑。

據(jù)悉，該產(chǎn)品針對(duì)高端汽車級(jí)應(yīng)用而開(kāi)發(fā)，擊穿電壓達(dá)到2300V，18V驅(qū)動(dòng)下Rdson的典型值5Ω，15V驅(qū)動(dòng)下典型值為7Ω。產(chǎn)品在開(kāi)發(fā)過(guò)程中，研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過(guò)改進(jìn)MOS可靠性，提高了器件的閾值電壓，并做了很多優(yōu)化設(shè)計(jì)和余量設(shè)計(jì)，使之更能勝任新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用需求。同時(shí)，產(chǎn)品具有更小的芯片尺寸，可以有效幫助客戶減少成本。

芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET的高耐壓簡(jiǎn)化了應(yīng)用電路，提升了應(yīng)用方案的可靠性，大幅降低了系統(tǒng)成本。同時(shí)，SiC MOSFET極小漏電流讓客戶大幅度提升應(yīng)用性能。得益于芯塔電子國(guó)產(chǎn)化供應(yīng)鏈保障，產(chǎn)品的成本及供貨更具優(yōu)勢(shì)和競(jìng)爭(zhēng)力，目前已獲多家客戶訂單。

芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測(cè)和絕緣監(jiān)測(cè)。該應(yīng)用場(chǎng)景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應(yīng)速度更快、體積縮小、壽命延長(zhǎng)等，對(duì)提升車輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。同時(shí)，該產(chǎn)品也為公司光耦繼電器合作商邁向800V高端新能源汽車市場(chǎng)提供強(qiáng)大賦能和支持。

融資方面，今年6月，芯塔電子完成近億元Pre-A輪融資。本輪融資由吳興產(chǎn)投領(lǐng)投，興產(chǎn)財(cái)通、禾創(chuàng)致遠(yuǎn)、叢蓉智芯、蘇納微新跟投。據(jù)悉，本輪資金將主要用于車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊產(chǎn)線的建設(shè)、加速產(chǎn)品研發(fā)、提升產(chǎn)能及加強(qiáng)供應(yīng)鏈保障等。

此外，項(xiàng)目方面，據(jù)芯塔電子創(chuàng)始人兼CEO倪煒江透露，芯塔電子車規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)線已經(jīng)在浙江湖州完成落地，將于2023年底前完成通線。新建的模塊封裝線將緊密結(jié)合新能源汽車對(duì)新型SiC MOSFET模塊的需求，公司已與戰(zhàn)略合作的整車廠以及T1廠商達(dá)成了產(chǎn)品合作的意向，產(chǎn)品量產(chǎn)后立刻進(jìn)行完整的上車測(cè)試與整車驗(yàn)證。上述融資資金也將重點(diǎn)運(yùn)用于產(chǎn)線建設(shè)。

芯塔電子團(tuán)隊(duì)深耕寬禁帶功率半導(dǎo)體領(lǐng)域多年，已從人才儲(chǔ)備、技術(shù)研發(fā)、平臺(tái)建設(shè)、供應(yīng)鏈保障、質(zhì)量管控等方面做好全方位戰(zhàn)略布局，始終瞄準(zhǔn)國(guó)際技術(shù)最前沿，以提供國(guó)際一流的國(guó)產(chǎn)化碳化硅功率芯片為己任，助力實(shí)現(xiàn)國(guó)家“雙碳”戰(zhàn)略的宏偉目標(biāo)。芯塔電子憑借自己綜合實(shí)力，已經(jīng)成功進(jìn)入國(guó)內(nèi)第一梯隊(duì)碳化硅供應(yīng)商。

（來(lái)源：芯塔電子、芯TIP）