截至2023年8月，英諾賽科氮化鎵芯片出貨量成功突破3億顆！
產(chǎn)品在消費類（快充、手機、LED），汽車激光雷達，數(shù)據(jù)中心，新能源與儲能領(lǐng)域的多個應(yīng)用中大批量交付，幫助客戶實現(xiàn)小體積、高能效、低損耗的產(chǎn)品設(shè)計。
據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023 GaN功率半導(dǎo)體市場分析報告》顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率高達65%。
得益于市場應(yīng)用范圍的擴大和八英寸硅基氮化鎵技術(shù)的成熟，英諾賽科2023年上半年銷售額比去年同期增長500%，累計出貨量成功突破3億顆！
01從第一款產(chǎn)品誕生到多形態(tài)產(chǎn)品衍生
2017年11月 英諾賽科開啟全球首條 8 英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線，采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，成功研制 8 英寸硅基氮化鎵晶圓。 2018年5月 英諾賽科第一款低壓氮化鎵功率器件上市。 2019年6月 英諾賽科650V 高壓氮化鎵器件通過JEDEC。自此，英諾賽科成為全球唯一一家同時量產(chǎn)高壓和低壓氮化鎵的半導(dǎo)體公司。 2021年3月 英諾賽科雙向?qū)ㄐ酒?nbsp;V-GaN 正式量產(chǎn)，是全球唯一一款可應(yīng)用于高壓側(cè)負載開關(guān)，智能手機 USB /無線充電端口內(nèi)置 OVP 保護，多電源系統(tǒng)中的開關(guān)電路等場景的GaN芯片。 2022年11月 英諾賽科 INN100W032A 榮獲IIC全球電子成就獎，該產(chǎn)品柵極電荷僅為 Si MOS 的20%，Ciss僅為 Si MOS 的 40%，可廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、Class D、數(shù)據(jù)中心、motor driver、通信基站等產(chǎn)品領(lǐng)域。 2023年1月 英諾賽科推出100V高集成半橋驅(qū)動合封芯片SolidGaN- ISG3201，進一步提升數(shù)據(jù)中心模塊電源、電機驅(qū)動、D類功率放大器、光伏逆變器及輕混電動汽車等48V電源系統(tǒng)的整體性能。 截至2023年8月，英諾賽科成功量產(chǎn)高壓氮化鎵芯片（650V-700V）54 款，中低壓氮化鎵芯片（30V-150V）20 款，產(chǎn)品涵蓋晶圓、分立器件、合封芯片三大品類。 02從手機快充到多領(lǐng)域應(yīng)用 逐一突破 2019年 英諾賽科650V 器件正式進入快充市場。隨后得到華碩、安克、努比亞、倍思、綠聯(lián)、閃極等多個終端品牌采用，應(yīng)用于30W-120W氮化鎵快充產(chǎn)品。 2020年 英諾賽科100V 低壓GaN 成功導(dǎo)入禾賽激光雷達并實現(xiàn)量產(chǎn)，驅(qū)動激光器實現(xiàn)更短時間內(nèi)的圖像傳輸。 2021年3月 騰訊×努比亞紅魔手機6Pro發(fā)布，其標配的業(yè)界首款120W黑魔方氮化鎵快充內(nèi)置英諾賽科650V芯片。隨著Oppo、Vivo、聯(lián)想等廠商的相繼采用，手機標配氮化鎵快充成為行業(yè)趨勢。 2021年10月 英諾賽科自主研發(fā)的雙向?qū)óa(chǎn)品 VGaN 率先導(dǎo)入 OPPO 手機，成為全球首款導(dǎo)入智能手機內(nèi)部電源開關(guān)領(lǐng)域的氮化鎵芯片。Realme、一加、聯(lián)想、摩托羅拉等手機也相繼采用VGaN實現(xiàn)充電保護，氮化鎵在消費類電子開拓了新應(yīng)用空間。 2022年5月 首諾信的發(fā)布全球最小的45W/65W PD 車充，采用英諾賽科40V低壓產(chǎn)品INN040FQ043A。 2022年7月 安克聯(lián)合英諾賽科共同發(fā)布全球首款65W全氮化鎵快充，獨創(chuàng)的全氮化鎵技術(shù)首次在AC和DC端同時采用氮化鎵功率芯片，使系統(tǒng)功率密度和效率達到了全新高度。 2022年10月 英諾賽科氮化鎵首次在工業(yè)電源產(chǎn)品上實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，全面提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)能耗。 2023年4月 英諾賽科低壓產(chǎn)品從工業(yè)級應(yīng)用進軍到車規(guī)級應(yīng)用，成功進入汽車激光雷達市場。 2023年7月 英諾賽科開始將氮化鎵應(yīng)用于新能源光伏發(fā)電領(lǐng)域，進一步縮小了模塊體積，提高系統(tǒng)效率，與合作伙伴共同打造輕便、高效的光伏產(chǎn)品。 氮化鎵功率器件的應(yīng)用主要由消費電子所驅(qū)動，因其具備小體積、高頻高效的優(yōu)勢，能夠滿足消費電子市場對電源產(chǎn)品小型化、快速化及低發(fā)熱的強烈需求。在快充市場的帶動下，手機標配快充、手機內(nèi)部充電保護也逐一采用氮化鎵，并在市場上得到良好反饋。由此，消費領(lǐng)域?qū)Φ壍男枨笕驿侀_。而這也僅僅是氮化鎵走向市場的開端。 受日益嚴峻的能源危機和綠色低碳發(fā)展趨勢的影響，各國紛紛出臺減碳政策，工業(yè)市場（新能源、數(shù)據(jù)中心）對高效、節(jié)能產(chǎn)品的需求大增，氮化鎵無疑是工業(yè)領(lǐng)域降本增效的關(guān)鍵。 而隨著汽車電氣化的持續(xù)推進，汽車電子成為各半導(dǎo)體廠商紛紛布局的市場。英諾賽科在2021年通過IATF 16949車規(guī)級認證，采用英諾賽科氮化鎵的激光雷達產(chǎn)品已率先應(yīng)用于自動駕駛汽車。據(jù)行業(yè)預(yù)測，2025年氮化鎵將滲透到低功率OBC和 DC-DC，2023年或?qū)⑦M入牽引逆變器中。 氮化鎵應(yīng)用已經(jīng)步入快車道，隨著市場需求的急劇增長，器件的可靠性與大批量穩(wěn)定供貨成為關(guān)鍵?；谙冗M且完善的8英寸硅基氮化鎵研發(fā)和制造平臺，英諾賽科當前產(chǎn)能已達到每月15000片，在規(guī)?；⒖煽啃耘c成本上具備極大優(yōu)勢，IDM模式也能快速實現(xiàn)產(chǎn)品的更新迭代，或?qū)⒊蔀橥苿有袠I(yè)發(fā)展的中堅力量。
來源：英諾賽科
