8月25日，武漢東湖高新區(qū)管委會與長飛先進半導體有限公司簽署了第三代半導體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議書。

該項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等。

長飛先進半導體有限公司專注于碳化硅（SiC）功率半導體產(chǎn)品研發(fā)及制造，擁有國內(nèi)一流的產(chǎn)線設備和先進的配套系統(tǒng)，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。

當前，東湖高新區(qū)重點布局化合物半導體產(chǎn)業(yè)，九峰山科技園將構(gòu)建設備、材料、設計、芯片、器件、模塊、制造、封裝、檢測的全產(chǎn)業(yè)鏈體系，聚力打造世界級化合物半導體產(chǎn)業(yè)高地。

作為全國四大集成電路產(chǎn)業(yè)基地之一，目前光谷已聚集一批集成電路產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)，形成了存儲芯片、化合物半導體芯片為兩大產(chǎn)業(yè)方向，涵蓋設計、制造、裝備、材料及分銷、模組等產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)集群。