10 月 12 日，“美好世界的共同愿景，標(biāo)準(zhǔn)塑造美好生活”紀(jì)念世界標(biāo)準(zhǔn)日活動在北京歌華開元酒店舉行。由北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布的T/CASAS 015—2022《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗(yàn)方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)被北京標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會評為2023 年度高質(zhì)量團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。

T/CASAS 015—2022《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗(yàn)方法》規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗(yàn)方法，評價器件在承受規(guī)定應(yīng)力的條件下是否符合規(guī)定的循環(huán)次數(shù)。對于提升SiC MOSFET器件的可靠性評價與分析技術(shù)能力，支撐SiC MOSFET器件的可靠性改進(jìn)具有重要意義。