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格芯獲美國3500萬美元資金,加速制造下一代氮化鎵芯片

日期:2023-10-20 閱讀:675
核心提示:10 月 19 日消息,格芯(GlobalFoundries,格羅方德)最初從 AMD 半導(dǎo)體的制造部門獨立而出,目前為世界第四大專業(yè)晶圓代工廠,

 10 月 19 日消息,格芯(GlobalFoundries,格羅方德)最初從 AMD 半導(dǎo)體的制造部門獨立而出,目前為世界第四大專業(yè)晶圓代工廠,旗下?lián)碛械聡吕鬯诡D、美國奧斯汀和紐約州 (建設(shè)中) 等多座工廠。

格芯現(xiàn)發(fā)布新聞稿,宣布獲得從美國國防部提供的 3500 萬美元(IT之家備注:當(dāng)前約 2.56 億元人民幣)資金,以加速其位于佛蒙特州埃塞克斯工廠制造硅基氮化鎵 (GaN on Si) 芯片。

據(jù)格芯稱,該資金建立在與美國政府多年合作的基礎(chǔ)上,其中包括 2020 年至 2022 年提供的 4000 萬美元支持。這筆資金預(yù)計將使該公司更接近 200mm 晶圓上硅基氮化鎵的量產(chǎn),200mm 晶圓是 GaN 技術(shù)的最先進技術(shù)。

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