近日，清源科創(chuàng)正式完成對功率芯片創(chuàng)業(yè)公司安銳半導體的戰(zhàn)略投資，這是公司在芯片設計研發(fā)領域的首個戰(zhàn)略布局，雙方將攜手在以碳化硅為核心的第三代半導體領域開展深度合作。安銳半導體是一家專注于第三代半導體芯片設計研發(fā)的科技公司，由該領域的資深科技團隊創(chuàng)立，團隊成員具有深厚的功率芯片研發(fā)經驗，截至目前已經完成了數款在國內市場上性能領先的碳化硅功率芯片的設計和流片。

碳化硅作為第三代寬禁帶半導體材料，與傳統(tǒng)的硅基半導體相比，其禁帶寬度是硅的3倍，擊穿場強是硅的8倍，這使得碳化硅半導體能夠承受更高的溫度、更強的電場和更強的輻射環(huán)境。此外，碳化硅半導體還具有高載流子遷移率、高熱導率和優(yōu)良的抗化學腐蝕性能，使其在高溫、高壓、高頻率和高輻射環(huán)境中有很好的應用前景。碳化硅功率半導體器件表現(xiàn)出高耐壓、高速開關、低導通電壓和高效率等特性，從而降低了能耗并縮小了元器件尺寸，在光伏、儲能、充電和電動汽車等高壓大功率應用中，碳化硅材料的優(yōu)勢可以得到充分發(fā)揮。

安銳半導體目前已有三款1200V SiC MOSFET完成了設計和流片，并已交付給工控領域的部分用戶進行測試，在該領域處于國內第一梯隊。清源科創(chuàng)堅定看好第三代半導體在功率元器件領域的應用趨勢，相信在該領域將迎來行業(yè)應用的快速成長。

除股權投資外，清源科創(chuàng)也將在公司管理、市場拓展、生產優(yōu)化等方面與安銳半導體創(chuàng)始團隊深度合作。清源科創(chuàng)將利用自身在資本市場、行業(yè)資源和市場運營等方面的優(yōu)勢，幫助安銳半導體加速產品研發(fā)和市場推廣，提升品牌影響力，共同開拓碳化硅功率半導體市場。雙方攜手共進，推動碳化硅功率半導體技術的發(fā)展，為新能源、節(jié)能環(huán)保等領域提供更高效、更可靠的解決方案。