半導體產業(yè)網(wǎng)獲悉：11月9日，廣東致能科技有限公司（以下簡稱“致能科技”）完成首個1200V D-Mode高可靠性氮化鎵平臺。在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已經(jīng)達到2400V，可廣泛用于工業(yè)、新能源、以及汽車等領域。

公司致力于將氮化鎵做成主要的半導體功率器件，基于下一代技術持續(xù)挑戰(zhàn)3300V平臺，已經(jīng)實現(xiàn)了重大突破。

致能科技成立于2018年12月20日，公司總部位于廣州，在徐州、深圳、上海等地設有生產研發(fā)基地和市場銷售中心。公司致力于氮化鎵功率半導體器件的研發(fā)與生產，已建成外延、器件、封裝、系統(tǒng)的全鏈條研發(fā)及生產能力。公司在常開型、常關型、垂直溝道氮化鎵功率器件等方面擁有多項獨特技術發(fā)明，具有完全自主知識產權。公司產品創(chuàng)新性強、可靠性高、應用廣泛，具有非常強的市場競爭力。

公司由具有20多年半導體研發(fā)經(jīng)驗的海外歸國專家領銜創(chuàng)立，團隊核心成員均擁有全球著名半導體企業(yè)研發(fā)量產經(jīng)歷。公司是國家級高新技術企業(yè)、廣東省專精特新中小企業(yè)，廣東省科技型中小企業(yè)、廣州未來獨角獸企業(yè)。

功率半導體器件是現(xiàn)代社會電能控制與轉化的核心部件。氮化鎵作為新興的寬禁帶半導體材料，以其為基礎的氮化鎵功率器件已成為下一代功率半導體的主要發(fā)展方向，是未來十年全球半導體行業(yè)聚焦的重點領域。氮化鎵功率器件具有速度快、能耗低、應用范圍廣等優(yōu)點，可以大幅度降低應用系統(tǒng)的體積與成本，是支撐消費、工業(yè)、儲能、電動汽車、5G通信、激光雷達等產業(yè)未來發(fā)展的核心基礎部件。

公司采用垂直整合制造模式（IDM），包括氮化鎵外延材料生長、芯片制造、芯片封裝和測試的完整生產流程。公司已量產的第一代橫向氮化鎵功率器件產品在生產良率、工藝水平、系統(tǒng)效率及可靠性試驗等方面已做到業(yè)內領先，產品在手機快充、電源適配器、照明驅動、通信電源，儲能電源等領域客戶廣泛應用。

屆時，致能科技將攜最新產品方案亮相“第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）”，誠邀更多同仁交流互通，期待與大家的相聚鷺島，共襄盛會，共創(chuàng)未來！