12月5日，晶盛機(jī)電披露最新調(diào)研紀(jì)要稱，目前公司 6 英寸襯底片已通過多家下游企業(yè)驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)批量銷售，8 英寸襯底片處于下游企業(yè)驗(yàn)證階段。

2023 年 11 月 4 日，晶盛機(jī)電舉行了“年產(chǎn) 25 萬片 6 英寸、5 萬片 8 英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目”簽約暨啟動儀式，旨在加快半導(dǎo)體材料端的關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代，這一舉措標(biāo)志著晶盛機(jī)電在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和市場競爭力將進(jìn)一步提升。目前公司正在積極推進(jìn)項(xiàng)目進(jìn)度與產(chǎn)能提升。

晶盛機(jī)電表示，公司自 2017 年開始碳化硅晶體生長設(shè)備和工藝的研發(fā)，通過研發(fā)團(tuán)隊(duì)的技術(shù)攻關(guān)，公司于 2018 年成功研發(fā)出 6 英寸碳化硅晶體生長爐，于 2020 年建立長晶和加工研發(fā)實(shí)驗(yàn)線，于 2022 年成功研發(fā)出 8 英寸 N 型碳化硅晶體。2023 年 11 月，公司正式啟動進(jìn)入了碳化硅襯底項(xiàng)目的量產(chǎn)階段。

對于行業(yè)競爭，晶盛機(jī)電指出，公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的 8 英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝。公司自 2017 年開始碳化硅晶體生長設(shè)備和工藝的研發(fā)，相繼成功開發(fā)6 英寸、8 英寸碳化硅晶體和襯底片，成功解決了 8 英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問題，是國內(nèi)為數(shù)不多能供應(yīng) 8 英寸襯底片的企業(yè)。

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅具有高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力等特點(diǎn)。采用碳化硅材料制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻特性好、轉(zhuǎn)化效率高、體積小和重量輕等優(yōu)點(diǎn)，在諸多領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、光伏、5G 通訊等領(lǐng)域

晶盛機(jī)電稱，在新能源汽車和光伏逆變器等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展驅(qū)動下，全球碳化硅市場規(guī)模快速提升。據(jù) Yole 預(yù)測，2027 年全球碳化硅市場規(guī)?？蛇_(dá) 62.97 億美元。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2022 年全球?qū)щ娦吞蓟枰r底和半絕緣型碳化硅襯底市場規(guī)模分別 5.12 和 2.42億美元，預(yù)計(jì) 2023 年市場規(guī)模將分別達(dá)到 6.84 和 2.81 億美元。2022-2025 年，導(dǎo)電型碳化硅襯底復(fù)合增長率達(dá) 34%。

（來源：集微）