2011年，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)的幼苗經(jīng)歷十余年發(fā)展完成了晶圓尺寸從2英寸往4英寸迭代，國內(nèi)導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品和技術(shù)布局剛開始，產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)格局初步形成。泰科天潤就是那年迎著產(chǎn)業(yè)朝陽成立的，是國內(nèi)最早一批建設(shè)碳化硅晶圓制造工廠的民營企業(yè)。

行百里者半九十。14個(gè)年頭里，泰科天潤從創(chuàng)立之初的生產(chǎn)線搭建到設(shè)備采買、工藝調(diào)控到產(chǎn)品迭代，從荒蕪中走出，到成長為當(dāng)前國內(nèi)碳化硅市場產(chǎn)品系列最全，服務(wù)客戶最多的聚焦碳化硅產(chǎn)品的IDM企業(yè)，泰科天潤深知行業(yè)周期起伏帶來的巨大挑戰(zhàn)與機(jī)會(huì)。

2023年，是國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)全面發(fā)力的重要節(jié)點(diǎn)。2023年泰科做了什么？2024泰科又將怎么做？我們專訪了泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司董事長兼CEO 陳彤先生，與我們一起探討，2024碳化硅產(chǎn)業(yè)如何向陽發(fā)展？

Question 1：

陳總給我們分享下泰科今年的主要工作以及收獲吧？

A：可以重點(diǎn)分享下我們今年產(chǎn)能和產(chǎn)品兩個(gè)方面的進(jìn)展：

首先產(chǎn)能方面，泰科天潤湖南6寸晶圓線已經(jīng)累計(jì)完成了超３萬片的流片和銷售，經(jīng)受住了國內(nèi)外一線大廠的嚴(yán)格審廠。同時(shí)，北京8寸晶圓線已開工建設(shè)，2025年可實(shí)現(xiàn)通線投產(chǎn)。

產(chǎn)品方面，泰科天潤推出多款新品，包括1200V SiC MOSFET、2000V SiC 二極管、IGBT混合單管，并實(shí)現(xiàn)批量銷售。

值得一提的是，我們的1200V40/80mΩ SiC MOSFET已經(jīng)在大功率充電模塊應(yīng)用上，累計(jì)經(jīng)受了88萬個(gè)小時(shí)的電動(dòng)汽車充電實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用，包括夏季戶外高溫場景，累計(jì)為新能源汽車進(jìn)行800多萬度電的超快充電。

Question 2：

作為國內(nèi)較早一批進(jìn)入碳化硅行業(yè)的企業(yè)，從泰科的角度看今年市場和競爭環(huán)境發(fā)生了哪些變化？2024會(huì)更好嗎？

A：首先，我們認(rèn)為國產(chǎn)替換的大趨勢依舊沒有改變，客戶對國產(chǎn)碳化硅的關(guān)注與支持是我們深耕碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈多年還繼續(xù)向前的堅(jiān)實(shí)支撐。

同時(shí)，我們也不得不承認(rèn)2023年競爭十分激烈，碳化硅應(yīng)用的主要下游市場需求相對不足，這對碳化硅器件和材料廠商都帶來了相當(dāng)?shù)膲毫?。同時(shí)，去年的市場熱度虛高導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)都在迅猛擴(kuò)產(chǎn)，新的碳化硅項(xiàng)目還在不斷的持續(xù)涌現(xiàn)，熱度依舊，這導(dǎo)致國產(chǎn)碳化硅賽道已經(jīng)十分擁擠。

簡單總結(jié)說，我們認(rèn)為當(dāng)前國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈由于材料端的價(jià)格還沒有達(dá)到拐點(diǎn)，市場容量無法面對這么多碳化硅項(xiàng)目，“僧多粥少”的客觀情況導(dǎo)致今年碳化硅器件企業(yè)倍感壓力。

對此我們認(rèn)為，相對于我們早些時(shí)候入局并擁有一定穩(wěn)定客源的企業(yè)來說，很多這幾年涌現(xiàn)出來的新項(xiàng)目，2024年真正的考驗(yàn)才剛剛開始。這些項(xiàng)目在產(chǎn)線通線投產(chǎn)之后，能不能有客戶買單、形成收入和現(xiàn)金流，是他們必然在2024年要面對的大考。

Question 3：

今年泰科在MOS方面已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了突破，市場推廣表現(xiàn)如何？后續(xù)MOS產(chǎn)品的規(guī)劃路線可以分享嗎？

A：2023年我們推出了1200V 30/40/80mΩ SiC MOSFET。

泰科自產(chǎn)自研SiC MOSFET耐沖擊魯棒性特點(diǎn)鮮明，可以經(jīng)受市場考驗(yàn)。

其中1200V/80mΩ SiC MOSFET閾值電壓高達(dá)3.5V，能夠顯著降低橋臂短路風(fēng)險(xiǎn)。雪崩能量超過1000mJ，擊穿電壓超過1500V以上，保障了器件在應(yīng)用過程中安全可靠的運(yùn)行。

此外，其導(dǎo)通電阻隨溫度增大的比例與業(yè)內(nèi)同行相比更確保在高溫運(yùn)行時(shí)依舊具有較低的導(dǎo)通損耗，可以滿足不同行業(yè)用戶的需求。

2024年我們還計(jì)劃推出用于主驅(qū)逆變器的1200V 15mΩ SiC MOSFET。同時(shí)，650V、1700V、2000V SiC MOSFET也在按計(jì)劃開發(fā)中。

Question 4：

作為國內(nèi)碳化硅系列最完善的企業(yè)，泰科不斷開拓任何一個(gè)有可能應(yīng)用碳化硅器件的市場，過去3年泰科已擁有了多個(gè)細(xì)分市場的高市占，放眼未來3年，泰科在市場端的戰(zhàn)略方向有哪些？

A：我們認(rèn)為，未來碳化硅的更多新增機(jī)會(huì)在于：碳化硅的MOSFET在取代硅基IGBT，碳化硅的SBD取代硅基的FRD。大部分的主要應(yīng)用是圍繞1200V和650V的交直流電源應(yīng)用場景。

在這個(gè)取代的過程之中，主要的驅(qū)動(dòng)力是性價(jià)比。

當(dāng)前碳化硅SBD已經(jīng)可以做到對標(biāo)硅基產(chǎn)品的3倍以下了，而碳化硅MOSFET當(dāng)前還會(huì)比硅基高5倍左右的成本，所以市場上從滲透率和產(chǎn)能規(guī)模來說，當(dāng)前碳化硅SBD比碳化硅的MOSFET更成熟。

國內(nèi)的碳化硅企業(yè)多了，所以真正的競爭是在不斷的跟硅基器件PK成本的過程中，看哪家碳化硅企業(yè)，在不斷地壓低價(jià)格的情況之上，還能夠最大化地控制成本，保留足夠的流片毛利。

就是說碳化硅企業(yè)的目標(biāo)是要建立真正與硅基大廠PK的能力，有良性的發(fā)展模式，而不是靠融資來的錢，補(bǔ)貼客戶的手法去換取一些沒有現(xiàn)金回籠的形式收入。

Question 5：

作為國內(nèi)最早一批8英寸FAB廠在建的企業(yè)，泰科如何判斷當(dāng)前全球碳化硅FAB產(chǎn)線6英寸轉(zhuǎn)8英寸的節(jié)奏與進(jìn)展？

A：當(dāng)前國際廠商在6轉(zhuǎn)8上走在前列，是其6寸產(chǎn)線已大規(guī)模出貨多年、8寸材料能夠供給、手握大量車企訂單的必然選擇。

而現(xiàn)階段國產(chǎn)碳化硅以6寸為主，且沒有放量，所以當(dāng)前國內(nèi)有一個(gè)難題，就是8寸現(xiàn)在該不該上？

因?yàn)楫吘箛鴥?nèi)6寸還沒有真正的跑出成績、國內(nèi)碳化硅的市場規(guī)模并沒有大家想像的那么大。同時(shí)國產(chǎn)的碳化硅襯底廠商，在8寸的技術(shù)積累上肯定還不足以支撐國內(nèi)的8寸晶圓廠。所以當(dāng)前階段，對于國內(nèi)的晶圓廠的布局來說，6寸和8寸的平衡，是一個(gè)事關(guān)長期發(fā)展的重要決策性問題。

我們認(rèn)為對于成熟、規(guī)模運(yùn)作的晶圓廠而言，不存在6、8寸產(chǎn)品并線進(jìn)行的可行性，這是晶圓廠實(shí)際運(yùn)作的現(xiàn)實(shí)。

那么一條產(chǎn)線可不可以先跑6寸，時(shí)機(jī)合適了再升級成8寸呢？現(xiàn)實(shí)的運(yùn)營中是不允許這樣去做的。因?yàn)橐坏┦袌雠颗芷饋砹耍魏萎a(chǎn)線的改動(dòng)，都需要客戶報(bào)備、同時(shí)做產(chǎn)品導(dǎo)入的重新認(rèn)證，才能開始重新銷售。

在國內(nèi)內(nèi)卷這么嚴(yán)重的背景之下，任何一個(gè)企業(yè)，在這樣一個(gè)6改8的過程中，必然會(huì)把自己的客戶供手讓給對手。所以如果一個(gè)企業(yè)現(xiàn)在開始建線的話，是建6寸還是8寸線，一定是一個(gè)非常痛苦的選擇。

所以在這一點(diǎn)上，由于泰科是個(gè)持續(xù)發(fā)展的老企業(yè)，泰科在6、8寸的問題上，擁有一個(gè)相當(dāng)大的主動(dòng)權(quán)，可以兩手抓，靈活平衡，看菜下飯。

當(dāng)前，泰科在8寸線的策略上，主要是以裝備、材料和工藝技術(shù)的整合為主，以北京研發(fā)總部的定位先行，同時(shí)不犧牲瀏陽6寸產(chǎn)線規(guī)模上量的寶貴時(shí)機(jī)，用瀏陽產(chǎn)線充分利用好國產(chǎn)6寸襯底資源與技術(shù)的紅利，從而達(dá)到最優(yōu)的中長期兼顧，研發(fā)與市場并得。

最后，在碳化硅這樣的超長賽道上，泰科爭取能夠做到以“風(fēng)險(xiǎn)最低、靈活度最高”的發(fā)展策略，去面對未來碳化硅6、8寸切換的問題。

Question 6：

目前車用市場仍以海外SiC產(chǎn)品為主，泰科如何看待國內(nèi)芯片量產(chǎn)上車的節(jié)奏，最難突破的大關(guān)還有哪些？

A：主要的挑戰(zhàn)永遠(yuǎn)都是在工藝和批量生產(chǎn)能力。

裝備、工藝、人才，這些都需要很多年的積累，要燒很多的片子，才能把一個(gè)產(chǎn)業(yè)化的平臺(tái)，打造成一個(gè)下游客戶能夠真心信賴、確實(shí)依賴的企業(yè)。

這個(gè)過程實(shí)際上是個(gè)很痛苦、很煎熬的過程。這兩年碳化硅材料的熱度很大，涌現(xiàn)出了上百家新興企業(yè)投身行業(yè)，這個(gè)過程都是要通過好多年的時(shí)間去面對的。

未來幾年，我們估計(jì)碳化硅上下游的這么多企業(yè)，都是拼韌性、拼耐力的一個(gè)過程。

同時(shí)，雖然針對新能源帶來得SiC MOS需求，是當(dāng)下熱點(diǎn)，但是在針對傳統(tǒng)的Si 的IGBT進(jìn)行產(chǎn)業(yè)替換，還有著很大的挑戰(zhàn)，而且國產(chǎn)企業(yè)和國內(nèi)外的差距還是比較大，是否國內(nèi)廠商能夠有足夠經(jīng)驗(yàn)積累，認(rèn)識問題，解決問題，也有很長的路要走。而不是急于推出產(chǎn)品，后續(xù)出現(xiàn)質(zhì)量問題，最終影響的是自身品牌。

// Question 7：

國產(chǎn)SiC產(chǎn)能擴(kuò)張迅速，新公司層出，SiC價(jià)格跌幅增快，甚至虧損銷售，泰科如何看待產(chǎn)業(yè)“內(nèi)卷”？

A：任何新的技術(shù)、新的產(chǎn)品，表面上看對客戶而言一定是一個(gè)新的體驗(yàn)。但是如果一個(gè)新技術(shù)或新產(chǎn)品，要想達(dá)到時(shí)代性的意義，那么必須在新的體驗(yàn)之上，要再加一個(gè)核量的維度，就是必須是能夠持續(xù)不斷地降成本。

任何技術(shù)都必須擁有持續(xù)降本，以至以非常低的成本去大規(guī)模地服務(wù)社會(huì)和生產(chǎn)，這才具備時(shí)代性這樣的稱號。

所以，一個(gè)行業(yè)卷至少證明方向是對的，才有這么多公司紛紛涌入，是促進(jìn)成本不斷降低的土壤。越來越多的公司加入，才能帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)競爭，不斷發(fā)展。

碳化硅的使命是取代硅基器件，從而提高整體的能源用電效率，如果碳化硅高高在上，無法持續(xù)降本，那么碳化硅就必然是一個(gè)小眾市場，是不可能有什么大的產(chǎn)業(yè)意義和價(jià)值的。

至于碳化硅價(jià)格下行，從長期看，提高產(chǎn)品性價(jià)比是一個(gè)公司生存的主線，不論是否受到競爭影響，都應(yīng)該通過不論是產(chǎn)業(yè)協(xié)同還是自身產(chǎn)品優(yōu)化或者產(chǎn)線升級等方式提高產(chǎn)品性價(jià)比。

更不用提碳化硅歸根結(jié)底的目標(biāo)是SiC MOSFET替換硅的IGBT ，SiC Diode 替換硅的FRD。縮短價(jià)格差距隨著產(chǎn)業(yè)的不斷升級完善，這個(gè)是終極目標(biāo)。

// Question 8：

泰科天潤的2024展望？

A：在經(jīng)濟(jì)短期不確定的2024年，更應(yīng)該修煉好內(nèi)功，雕琢自己的產(chǎn)品，進(jìn)一步提高性價(jià)比和可靠性。這樣經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的時(shí)候才能更好的應(yīng)對市場。與同行共勉！