天眼查顯示，武漢新芯集成電路制造有限公司“半導體器件及其制備方法”專利公布，申請公布日為2024年2月20日，申請公布號為CN117577581A。
本申請?zhí)峁┮环N半導體器件及其制備方法。該制備方法包括提供半導體基體，半導體基體包括第一鈍化層、設于第一鈍化層上的第一金屬層以及第二鈍化層，第二鈍化層覆蓋第一金屬層，且第二鈍化層具有第一開口，第一開口露出第一金屬層的至少部分；在第二鈍化層背離第一鈍化層的一側(cè)表面設置掩膜圖案，掩膜圖案露出第一開口；在掩膜圖案背離第一鈍化層的一側(cè)形成第二金屬層，第二金屬層覆蓋掩膜圖案、第一金屬層的部分和第二鈍化層通過掩膜圖案露出的部分；去除掩膜圖案和位于掩膜圖案上的第二金屬層，以形成重布線結(jié)構(gòu)。該方法可以有效去除非必要的金屬，不會出現(xiàn)金屬殘留；同時重布線結(jié)構(gòu)的厚度均一性較好，可以有效降低制造成本。
