據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，合肥晶合集成電路股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的制作方法以及三維存儲(chǔ)器“，公開號(hào)CN117690974A，申請(qǐng)日期為2024年2月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的制作方法以及三維存儲(chǔ)器。該器件包括襯底、柵極結(jié)構(gòu)以及兩個(gè)外延部，其中，柵極結(jié)構(gòu)位于襯底的部分表面上；兩個(gè)外延部分別位于柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的襯底中，外延部的預(yù)定截面的形狀在靠近柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)具有至少兩個(gè)尖角，且一個(gè)外延部的至少兩個(gè)尖角沿著預(yù)定方向排列。該器件的兩個(gè)外延部的預(yù)定截面的形狀在靠近柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)具有至少兩個(gè)尖角，且一個(gè)外延部的至少兩個(gè)尖角沿著預(yù)定方向排列，兩個(gè)外延部形成了至少兩對(duì)相對(duì)的尖角，進(jìn)一步增加溝道內(nèi)的應(yīng)力，從而提升半導(dǎo)體器件的性能，進(jìn)而解決了現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體器件的溝道內(nèi)應(yīng)力較低導(dǎo)致半導(dǎo)體性能較差的問題。