據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗(yàn)方法及裝置“，公開號(hào)CN117761495A，申請(qǐng)日期為2023年12月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種SiC MOSFET體二極管雙極退化試驗(yàn)方法及裝置，屬于SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在常溫及高溫下重復(fù)短脈沖電流功率循環(huán)，并對(duì)比靜態(tài)特性，進(jìn)行雙極退化研究，克服了直流電流應(yīng)力功率循環(huán)的局限性，控制簡(jiǎn)單，可靠性強(qiáng)，試驗(yàn)期間無持續(xù)的熱量積累，避免了熱失控，對(duì)封裝的特性無影響，可在高溫環(huán)境中進(jìn)行，提高了老化效率，加速了雙極退化，為研究SiC雙極型功率器件在高溫下的雙極退化機(jī)理與SiC材料位錯(cuò)缺陷提供了一種新的退化手段，對(duì)SiC雙極型功率器件長(zhǎng)期可靠性的研究具有重要意義，可為SiC雙極型功率器件的研制提供指導(dǎo)。