據(jù)芯能半導(dǎo)體官方消息，4月11日，芯能半導(dǎo)體合肥高端功率模塊封裝制造基地廠房交接儀式在合肥安巢經(jīng)開(kāi)區(qū)舉行。據(jù)悉，本次交接項(xiàng)目為一棟三層半結(jié)構(gòu)，約13000m²。

早在2023年5月，芯能半導(dǎo)體就與合肥市政府簽署項(xiàng)目合作協(xié)議，將在合肥安巢經(jīng)開(kāi)區(qū)建設(shè)10條IGBT、5條SiC MOS自動(dòng)化生產(chǎn)線，產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車(chē)、太陽(yáng)能和家電等行業(yè)。

據(jù)透露，簽約項(xiàng)目采用先進(jìn)工藝，專(zhuān)注于大功率模塊封測(cè)，項(xiàng)目整體建成達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)480萬(wàn)只IGBT模塊和60萬(wàn)只SiC MOS模塊，年?duì)I收約15億元。

芯能半導(dǎo)體成立于2013年9月，是一家聚焦IGBT芯片、高壓柵極驅(qū)動(dòng)芯片以及智能功率模塊的研發(fā)、生產(chǎn)、應(yīng)用和銷(xiāo)售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)和國(guó)家“專(zhuān)精特新”小巨人企業(yè)，目前已量產(chǎn)國(guó)際第七代（MPT技術(shù)）IGBT，第六代IGBT芯片國(guó)內(nèi)出貨量領(lǐng)先。

芯能半導(dǎo)體總部位于深圳，除了合肥落地的模塊封測(cè)項(xiàng)目外，在布局方面，芯能半導(dǎo)體在浙江義烏建有大功率車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊制造基地，深圳、上海、蘇州設(shè)有研發(fā)中心，并在深圳、上海、杭州等地建立了銷(xiāo)售辦事處。

融資方面，2023年6月，芯能半導(dǎo)體完成C++輪投資，本輪由國(guó)電投、中信建投資本、杭廣熠熠和正弦電氣共同參與。

此外，2022年5月消息，小米產(chǎn)投部獨(dú)家參與了芯能半導(dǎo)體的C+輪融資，投資金額近億元，融資資金將主要用于加強(qiáng)研發(fā)投入，尤其是新能源和新能源汽車(chē)類(lèi)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。

產(chǎn)品方面，芯能半導(dǎo)體去年7月發(fā)布了IPM29- SiC_MOS智能功率模塊新產(chǎn)品。該產(chǎn)品內(nèi)部集成了新一代N溝道增強(qiáng)型1200V-SiC_MOSFET芯片與優(yōu)化的SOI工藝6通道柵極驅(qū)動(dòng)芯片。

作為緊湊的1200V等級(jí)封裝，這款SiC MOSFET IPM使用簡(jiǎn)便，針對(duì)SiC定制優(yōu)化驅(qū)動(dòng)部分，有效減小開(kāi)關(guān)振蕩。此外，它采用緊湊式封裝，得益于使用具備很高熱導(dǎo)率的DBC基板，具有良好熱性能和充足的電氣隔離等級(jí)能力，具有出色的功率密度、可靠性和性能?；谠摦a(chǎn)品，芯能聯(lián)合芯能的IDH推出基于這顆IPM的汽車(chē)空調(diào)的參考應(yīng)用方案。

此外，今年4月，芯能半導(dǎo)體也新推出一款1200V 600A C2模塊，該模塊采用芯能自主研發(fā)的基于MPT工藝的IGBT芯片以及發(fā)射極控制技術(shù)的FRD芯片，封裝兼容62mm。該產(chǎn)品具有超低的飽和壓降、超低開(kāi)關(guān)損耗的特點(diǎn)，內(nèi)置全電流正溫度系數(shù)續(xù)流二極管，利于多并聯(lián)使用，主要應(yīng)用在光伏、儲(chǔ)能、電機(jī)控制器等領(lǐng)域。

該C2模塊由芯能半導(dǎo)體自建的自動(dòng)化封裝制造專(zhuān)線生產(chǎn)，可以實(shí)現(xiàn)模塊的常溫、高溫動(dòng)靜態(tài)測(cè)試篩選，以及器件參數(shù)的分檔，滿足模塊并聯(lián)使用和高可靠性的要求。

據(jù)透露，芯能半導(dǎo)體的專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)C2模塊的專(zhuān)線，全制程、全工序生產(chǎn)作業(yè)配備有先進(jìn)的工藝自動(dòng)化上下料系統(tǒng)， 以實(shí)現(xiàn)高效的生產(chǎn)和一致的產(chǎn)品質(zhì)量。

來(lái)源：芯能半導(dǎo)體、NE時(shí)代半導(dǎo)體