4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通過技術創(chuàng)新，在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得重要進展，在國內率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。

8寸N型SiC復合襯底（source：青禾晶元）     對比6英寸SiC晶圓，8英寸SiC晶圓可用面積幾乎增加一倍，芯片產出可增加80-90％，SiC晶圓升級到8英寸將會給汽車和工業(yè)客戶帶來重大收益。因此，SiC晶圓走向8英寸是業(yè)界公認的發(fā)展趨勢。

SiC長晶受限于生長良率低、周期長等瓶頸導致成本無法有效降低。先進SiC鍵合襯底技術可以將高、低質量SiC襯底進行鍵合集成，有效利用低質量長晶襯底，與長晶技術一同推進SiC材料成本顯著降低，實現高效地將過剩的傳統(tǒng)生產力轉化為新質生產力。

青禾晶元表示，通過技術創(chuàng)新，進一步鞏固了青禾晶元在該領域的引領地位，有望加速8英寸SiC襯底量產進程，為產業(yè)界客戶提供更具競爭力的價格。

青禾晶元集團是國際上少數掌握全套先進半導體襯底鍵合集成技術的半導體公司之一，致力于將國際前沿的半導體材料融合技術產業(yè)化，獲得了多家知名產業(yè)方和社會資本的廣泛認可。