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斯達(dá)半導(dǎo)取得功率模塊專利,增強(qiáng)功率半導(dǎo)體模塊的使用壽命

日期:2024-05-31 閱讀:574
核心提示:斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種具有銀漿燒結(jié)層的功率模塊”,授權(quán)公告號(hào)CN221057406U,申請(qǐng)日期為2023年9月。

5月31日消息,據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告,斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種具有銀漿燒結(jié)層的功率模塊”,授權(quán)公告號(hào)CN221057406U,申請(qǐng)日期為2023年9月。

專利摘要顯示,本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種具有銀漿燒結(jié)層的功率模塊,包括,基板;金屬化陶瓷襯底,設(shè)于基板上,金屬化陶瓷襯底和基板之間設(shè)有錫銻焊片;銀漿層,設(shè)于金屬化陶瓷襯底上;半導(dǎo)體芯片和電阻,設(shè)于銀漿層上;連接端子,設(shè)于金屬化陶瓷襯底上,連接端子、半導(dǎo)體芯片和電阻之間通過(guò)鍵合線電連接。本實(shí)用新型通過(guò)使用銀漿燒結(jié)的方式將碳化硅材質(zhì)的芯片進(jìn)行焊接在金屬化陶瓷襯底上,增加功率半導(dǎo)體模塊使用的穩(wěn)定性,增強(qiáng)功率半導(dǎo)體模塊的使用壽命,可適用于各種更加極端的環(huán)境。

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