天眼查顯示，廣東芯聚能半導體有限公司“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布，申請公布日為2024年6月28日，申請公布號為CN118263326A。
本申請涉及一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法，碳化硅MOSFET器件包括襯底、第一摻雜區(qū)、柵極溝槽、控制柵結構和分裂柵結構，第一摻雜區(qū)設置于襯底內；柵極溝槽設置于第一摻雜區(qū)內，且從襯底的正面開口并沿襯底的厚度方向延伸，柵極溝槽包括第一子溝槽和第二子溝槽，第二子溝槽位于第一子溝槽背離襯底的正面的一側；控制柵結構設置于第一子溝槽內，控制柵結構包括控制柵導電層和控制柵介質層，控制柵介質層位于控制柵導電層與第一子溝槽的槽壁之間；分裂柵結構設置于第二子溝槽內，分裂柵結構包括分裂柵導電層和分裂柵介質層，分裂柵介質層包覆分裂柵導電層；控制柵介質層的介電常數(shù)和分裂柵介質層的介電常數(shù)不同。
